[发明专利]有机电致发光器件

权利要求书

1.有机电致发光器件，其依序包含：阳极、发光层、阻挡层、电子注入层、和阴极，其中，

所述发光层包含基质和掺杂剂，

所述阻挡层包含芳族杂环衍生物，

所述芳族杂环衍生物的三重态能量E^T_b(eV)大于所述基质的三重态能量E^T_h(eV)，并且

所述阻挡层的亲合势A_b(eV)和电子注入层的亲合势A_e(eV)满足关系A_e-A_b＜0.2。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，

所述芳族杂环衍生物的三重态能量E^T_b(eV)和所述基质的三重态能量E^T_h(eV)满足关系E^T_h+0.2＜E^T_b。

3.如权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，

所述芳族杂环衍生物的三重态能量E^T_b(eV)和三(8-羟基喹啉)铝络合物的三重态能量E^T_Alq(eV)满足关系E^T_b＞E^T_Alq。

4.如权利要求1～3中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，

在0.04MV/cm～0.5MV/cm的电场强度中，所述芳族杂环衍生物的电子迁移率为至少10^-6cm²/Vs。

5.如权利要求1～4中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，

所述电子注入层包含一种材料，该材料在0.04MV/cm～0.5MV/cm的电场强度中的电子迁移率为至少10^-6cm²/Vs。

6.如权利要求1～5中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，

所述掺杂剂呈现出主峰波长小于或等于550nm的荧光发光，并且

所述掺杂剂的三重态能量E^T_d(eV)大于所述基质的三重态能量E^T_h(eV)。

7.如权利要求1～6中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，

在所述阳极和所述发光层之间设置有空穴传输区，

所述空穴传输区中的空穴传输层邻近所述发光层，并且

所述空穴传输层的三重态能量E^T_ho(eV)大于所述基质的三重态能量E^T_h(eV)。

8.如权利要求1～7中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，

所述电子注入层和所述阻挡层是由相同的材料形成的，并且

所述电子注入层掺杂有供体。

9.如权利要求1～8中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，

所述掺杂剂为选自下组的至少一种化合物：芘衍生物、氨基蒽衍生物、氨基屈衍生物、氨基芘衍生物、荧蒽衍生物和硼络合物。

10.如权利要求1～9中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，

所述基质是仅在环状结构中包含双键的化合物。

11.如权利要求1～10中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，

所述掺杂剂是仅在环状结构中包含双键的化合物。

12.如权利要求1～11中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，

在最大电流效率(cd/A)处的外加电压中，源自通过发光层中产生的三重态激子的碰撞所产生的单重态激子的发光强度占整个发光强度的30％以上。