[发明专利]碳化硅衬底的制造方法、半导体器件的制造方法、碳化硅衬底和半导体器件

权利要求书

1.一种制造碳化硅衬底(1)的方法，包括如下步骤：

准备由单晶碳化硅制成的SiC衬底(20)，

将碳化硅源(10，11)布置在容器(70)中，以使其面对所述SiC衬底(20)的一个主面(20B)，以及

通过将所述容器(70)中的所述碳化硅源(10，11)加热至大于或等于构成所述碳化硅源(10，11)的碳化硅的升华温度的温度范围，来形成由碳化硅制成的基底层(10)以接触所述SiC衬底(20)的一个主面(20B)，

在形成基底层(10)的所述步骤中，除了所述SiC衬底(20)和所述碳化硅源(10，11)之外，还将由包含硅的物质制成的硅产生源(91)布置在所述容器(70)中。

2.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中，

采用石墨作为构成所述容器(70)的材料。

3.根据权利要求2所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中，

在所述容器(70)的内壁(70A，70B)上形成涂层(72)，以抑制在构成所述容器(70)的石墨和硅之间的反应。

4.根据权利要求3所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中，

所述涂层(72)包括从钽、碳化钽和碳化硅组成的组中选择的至少任意一种物质。

5.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中，

所述容器(70)由碳化钽制成。

6.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中，

在准备SiC衬底(20)的所述步骤中，准备多个所述SiC衬底(20)，

在布置碳化硅源(10，11)的所述步骤中，在从平面视角来看将多个所述SiC衬底(20)布置成对齐的情况下来布置所述碳化硅源(10，11)，

在形成基底层(10)的所述步骤中，形成所述基底层(10)以使得多个所述SiC衬底(20)的一个主面(20B)彼此连接。

7.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中，

在布置碳化硅源(10)的所述步骤中，将由用作碳化硅源(10)的碳化硅制成的基底衬底(10)布置成使得所述基底衬底(10)的一个主面(10A)和所述SiC衬底(20)的一个主面(20B)彼此相接触地面对，以及

在形成基底层(10)的所述步骤中，加热所述基底衬底(10)来连接所述基底衬底(10)与所述SiC衬底(20)，以形成所述基底层(10)。

8.根据权利要求7所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，还包括如下步骤：

在布置碳化硅源(10)的所述步骤之前，对于将在布置所述碳化硅源(10)的所述步骤中被设置为彼此接触的所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)的主面(10A，20B)进行平坦化。

9.根据权利要求7所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中，

以在布置碳化硅源(10)的所述步骤之前不对将要被设置为彼此接触的所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)的主面(10A，20B)进行抛光的方式，来执行布置碳化硅源(10)的所述步骤。

10.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中，

在布置碳化硅源(11)的所述步骤中，将由用作所述碳化硅源(11)的碳化硅制成的材料衬底(11)布置成使得所述材料衬底(11)的一个主面(11A)和所述SiC衬底(20)的一个主面(20B)彼此之间保持距离地面对，以及

在形成基底层(10)的所述步骤中，加热所述材料衬底(11)以致使构成所述材料衬底(11)的碳化硅升华，来形成所述基底层(10)。

11.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底(1)的方法，其中，

在形成基底层(10)的所述步骤中，将所述基底层(10)形成为使得所述SiC衬底(20)的在所述基底层(10)相反侧的主面(20A)相对于{0001}面具有大于或等于50°且小于或等于65°的偏离角。