[发明专利]被处理物投入装置、被处理物投入装置用的管道单元及该管道单元所用的管道

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于自外部以气密状态将被处理物投入到以气密状态对被处理物进行处理的处理装置内部的被处理物投入装置、被处理物投入装置所用的管道单元以及该管道单元所用的管道。

背景技术

已知有以气密状态对被处理物进行处理的处理装置，例如，已知有如下装置：将作为被处理物的硅材料投入到处理装置的内部并进行熔融，进行使熔融了的硅材料固化的处理，从而制造作为半导体基板的材料的单晶硅。在该单晶硅的制造工序中，处理装置的内部处于与外气不同的、特殊的气氛中。例如，处理装置的内部处于非活性气体气氛、真空气氛中。

而且，还已知有用于以气密状态自外部将被处理物投入到上述处理装置的内部的被处理物投入装置(例如专利文献1、2)。

专利文献1所记载的被处理物投入装置(硅颗粒供给装置)包括料斗、送料器、壳体、石英管以及波纹管。上述料斗为了在成为非活性气体气氛的壳体的内部容纳硅颗粒而设置，在该料斗的下方设有用于输送被处理物(硅颗粒)的送料器。而且，石英管借助波纹管与壳体相连接。该石英管的一部分插入到处理装置(加热炉)的内部，并与加热炉的内部相连通。硅颗粒供给装置与加热炉的内部分别成为气密状态。具体地说，各个内部处于非活性气体气氛中。即，硅颗粒供给装置与加热炉的内部分别成为相同的非活性气体气氛。由此，能够以气密状态(非活性气体气氛)将硅颗粒自料斗经由石英管投入到加热炉的内部。

专利文献2所记载的被处理物投入装置(装入材料供给装置)的基本结构与专利文献1所记载的被处理物投入装置相同。该被处理物投入装置(装入材料供给装置)包括料斗、槽、振动部、装入材料投入室以及斜槽(chute)。装入材料投入室设为真空气氛，在该装入材料投入室的内部设有用于容纳被处理物(装入材料)的料斗。而且，在该料斗的下方设有用于输送装入材料的槽及振动部。而且，斜槽的一部分插入到处理装置(真空槽)的内部，并与真空槽的内部相连通。装入材料投入室与真空槽均能够相对于外气密闭，且各个内部设为气密状态。具体地说，各个内部处于真空气氛。即，装入材料供给装置与真空槽的内部分别成为相同的真空气氛。由此，能够以气密状态(真空气氛)将装入材料自料斗经由斜槽投入到真空槽的内部。

但是，在专利文献1所记载的被处理物投入装置(硅颗粒供给装置)中，在容纳于料斗的硅颗粒已用完等而必须向料斗中补充硅颗粒的情况下，打开设置于壳体的盖，自此向料斗补充硅颗粒。此外，在专利文献2所记载的被处理物投入装置(装入材料供给装置)中，在容纳于料斗的装入材料已用完等而必须向料斗中补充装入材料的情况下，打开设置于装入材料投入室的真空门，自此向料斗补充装入材料。

但是，这些被处理物投入装置(硅颗粒供给装置、装入材料供给装置)均与处理装置的内部相连通。因此，在处理装置的处理过程中，若要补充被处理物，则一直到处理装置的内部都伴随着被处理物投入装置的打开(盖、真空门的打开)而向外气开放。因此，至此保持着的气密状态(特殊的气氛)将被破坏。由此，被处理物的补充不能在处理过程中进行，而需要在处理后进行。因此，具有空闲时间(工作停止时间)增加这种问题。

以往技术文献

专利文献

专利文献1：日本国特开昭59-115736号公报

专利文献2：日本国特开2003-21470号公报

发明内容

发明要解决的问题

因此，本发明的目的在于提供一种易于在保持能够自被处理物容纳部投入被处理物的状态下使被处理物通路的出口端移动、作业性优异的被处理物投入装置、被处理物投入装置用的管道单元及该管道单元所用的管道。

用干解决问题的方案