[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201180003898.2 | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102511086A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 横川俊哉;大屋满明;山田笃志;矶崎瑛宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种氮化物系半导体元件，其具备：
氮化物系半导体叠层构造，其具有p型GaN系半导体区域；和
电极，其形成在所述p型GaN系半导体区域的主面上，
所述p型GaN系半导体区域中的所述主面的法线与m面的法线所形成的角度为1°以上5°以下，
所述电极包括与所述p型GaN系半导体区域的所述主面接触的Zn层、和形成在所述Zn层上的Ag层。
2.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件，其中，
所述p型GaN系半导体区域由AlxInyGazN半导体形成，其中x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0。
3.根据权利要求1或2所述的氮化物系半导体元件，其中，
所述Ag层被由与Ag不同的金属构成的保护电极覆盖。
4.根据权利要求1至3任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，
所述Ag层被由电介质构成的保护层覆盖。
5.根据权利要求1至4任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，
所述氮化物系半导体叠层构造具有包括AlaInbGacN层在内的活性层，所述活性层发光，其中a+b+c＝1，a≥0，b≥0，c≥0。
6.根据权利要求1至5任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，
所述p型GaN系半导体区域是p型接触层。
7.根据权利要求1至6任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，
所述Zn层的厚度为所述Ag层的厚度以下。
8.根据权利要求1至7任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，
所述氮化物系半导体元件具有支承所述氮化物系半导体叠层构造的半导体基板。
9.根据权利要求1至8任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，
所述Zn层中的N浓度比Ga浓度低。
10.根据权利要求1至9任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，
所述p型GaN系半导体区域是GaN。
11.根据权利要求1至10任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，
所述Zn层及所述Ag层的至少一部分合金化。
12.根据权利要求1至11任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，
所述Zn层是岛状。
13.根据权利要求1至12任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，
所述Zn层由Zn-Ag合金形成。
14.一种光源，其具备：
氮化物系半导体发光元件；和
波长变换部，其包含荧光物质，该荧光物质对从所述氮化物系半导体发光元件放射出的光的波长进行变换，
所述氮化物系半导体发光元件具备：
氮化物系半导体叠层构造，其具有p型GaN系半导体区域；和
电极，其形成在所述p型GaN系半导体区域的主面上，
所述p型GaN系半导体区域中的所述主面的法线与m面的法线所形成的角度为1°以上5°以下，
所述电极包括与所述p型GaN系半导体区域的所述主面接触的Zn层、和形成在所述Zn层上的Ag层。
15.根据权利要求14所述的光源，其中，
所述p型GaN系半导体区域由AlxInyGazN半导体构成，其中x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0。
16.根据权利要求14或15所述的光源，其中，
所述p型GaN系半导体区域是GaN。
17.根据权利要求14至16任一项所述的光源，其中，
所述Zn层及所述Ag层的至少一部分合金化。
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