[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物系半导体元件，具备：

氮化物系半导体层叠构造，其具有p型GaN系半导体区域；和

电极，其形成于所述p型GaN系半导体区域的主面上，

所述p型GaN系半导体区域中的所述主面的法线与m面的法线所形成的角度为1°以上5°以下，

所述电极包含与所述p型GaN系半导体区域的所述主面相接触的Zn层。

2.根据权利要求1所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述p型GaN系半导体区域由Al_xIn_yGa_zN半导体形成，其中x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述电极包含所述Zn层、和形成于所述Zn层上的金属层，

所述金属层由从Pt、Mo以及Pd所构成的群中选择的至少一种金属构成。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述氮化物系半导体层叠构造具有包含Al_aIn_bGa_cN层的活性层，所述活性层发光，其中a+b+c＝1，a≥0，b≥0，c≥0。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述p型GaN系半导体区域为p型接触层。

6.根据权利要求3所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述Zn层的厚度为所述金属层的厚度以下。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述氮化物系半导体元件具有支撑所述氮化物系半导体层叠构造的半导体基板。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述Zn层的至少一部分进行了合金化。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述Zn层为岛状。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述Zn层由Zn、和从由Pt、Mo以及Pd构成的群中选择的至少一种金属的合金而形成。

11.根据权利要求10所述的氮化物系半导体元件，其中，

所述电极仅由所述Zn层构成，

所述Zn层由Zn、和从由Pt、Mo以及Pd构成的群中选择的至少一种金属的合金而形成。

12.一种光源，其具备：

氮化物系半导体发光元件；和

波长变换部，其包含对从所述氮化物系半导体发光元件放射的光的波长进行变换的荧光物质，

所述氮化物系半导体发光元件具备：

氮化物系半导体层叠构造，其具有p型GaN系半导体区域；和

电极，其形成于所述p型GaN系半导体区域的主面上，

所述p型GaN系半导体区域中的所述主面的法线与m面的法线所形成的角度为1°以上5°以下，

所述电极包含与所述p型GaN系半导体区域的所述主面相接触的Zn层。

13.根据权利要求12所述的光源，其中，

所述p型GaN系半导体区域由Al_xIn_yGa_zN半导体构成，其中x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0。

14.根据权利要求12或13所述的光源，其中，

所述Zn层的至少一部分进行了合金化。

15.一种氮化物系半导体元件的制造方法，包括：

工序a，准备基板；

工序b，在所述基板上形成氮化物系半导体层叠构造，该氮化物系半导体层叠构造具有主面的法线与m面的法线所形成的角度为1°以上5°以下的p型GaN系半导体区域；和

工序c，在所述氮化物系半导体层叠构造的所述p型GaN系半导体区域的所述主面上形成电极，

所述工序c包括在所述p型GaN系半导体区域的所述主面上形成Zn层的工序。