[发明专利]电子材料用Cu-Co-Si系铜合金及其制造方法

权利要求书

1.电子材料用铜合金，其中含有Co：0.5～3.0％(质量)、Si：0.1～1.0％(质量)，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，在母相中析出的第二相颗粒中，粒径为5nm以上、50nm以下的第二相颗粒的个数密度为1×10¹²～1×10¹⁴个/mm³，粒径为5nm以上、不足10nm的第二相颗粒的个数密度以相对于粒径为10nm以上、50nm以下的第二相颗粒的个数密度之比来表示为3～6。

2.权利要求1所述的电子材料用铜合金，其中，粒径为5nm以上、不足10nm的第二相颗粒的个数密度为2×10¹²～7×10¹³，粒径为10nm以上、50nm以下的第二相颗粒的个数密度为3×10¹¹～2×10¹³。

3.权利要求1或2所述的电子材料用铜合金，根据JIS H 3130进行Badway的W弯曲试验时，不会产生裂纹的最小半径MBR与板厚t之比即MBr/t值为2.0以下。

4.权利要求1～3中任一项所述的电子材料用铜合金，其中进一步含有最多为2.5％(质量)的Ni。

5.权利要求1～4中任一项所述的电子材料用铜合金，其中进一步含有最多为0.5％(质量)的Cr。

6.权利要求1～5中任一项所述的电子材料用铜合金，其中进一步含有总计最多为2.0％(质量)的选自Mg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn和Ag的一种或两种以上。

7.电子材料用铜合金的制造方法，该方法包括依次进行下述步骤：

步骤1：熔解铸造具有权利要求1、4～6中任一项所述的组成的铸锭；

步骤2：使材料温度为950℃以上、1050℃以下加热1小时以上之后进行热轧；

随意的冷轧步骤3；

步骤4：进行将材料温度加热至850℃以上、1050℃以下的固溶处理；

第一时效处理步骤5：使材料温度为400℃以上、600℃以下加热1～12小时，其中，当铸锭含有1.0～2.5％(质量)的Ni时，使材料温度为400℃以上、500℃以下；

冷轧步骤6，其中，轧制率为10％以上；以及

第二时效处理步骤7：使材料温度为300℃以上、400℃以下加热3～36小时，使该加热时间为第一时效处理中的加热时间的3～10倍。

8.权利要求7所述的电子材料用铜合金的制造方法，其中，冷轧步骤6中的轧制率为10～50％。

9.伸铜制品，其中包含权利要求1～6中任一项所述的电子材料用铜合金。

10.电子零件，其具备权利要求1～6中任一项所述的电子材料用铜合金。