[发明专利]非易失性存储装置

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，包括：

第一电极布线，在衬底上被形成为带状；

层间绝缘层，被形成在所述第一电极布线以及所述衬底上；

存储单元孔，贯通所述层间绝缘层而到达所述第一电极布线；

电阻变化层，在所述存储单元孔中，被形成在覆盖所述存储单元孔的底部以及侧面的区域；

第一电极，在所述电阻变化层上，被形成在所述存储单元孔的内部；以及

第一布线，在所述第一电极以及所述层间绝缘层上，在至少覆盖所述存储单元孔的开口的区域，在与所述第一电极布线交叉的方向上被形成为带状，

所述电阻变化层为第一电阻变化层与第二电阻变化层的层叠构造体，所述第一电阻变化层由缺氧型过渡金属氧化物构成，所述第二电阻变化层由缺氧氮型过渡金属氧氮化物构成，所述缺氧氮型过渡金属氧氮化物的含氧率与所述第一电阻变化层不同，

在将所述过渡金属表示为M、将所述第一电阻变化层的组成表示为MO_z、将所述第二电阻变化层的组成表示为MO_xN_y的情况下，

满足z＞x+y的关系。

2.如权利要求1所述的非易失性存储装置，

所述第一电阻变化层与所述存储单元孔的底部以及侧面接触，所述第二电阻变化层与所述第一电阻变化层接触。

3.如权利要求1所述的非易失性存储装置，

所述过渡金属为，从由钽、铪、锆、镍、钛而成的群中选择的某一个过渡金属。

4.如权利要求1所述的非易失性存储装置，

所述过渡金属为钽。

5.如权利要求4所述的非易失性存储装置，

缺氧氮型钽氧氮化物中占有的氧原子数与氮原子数的总和为50至70atm％。

6.如权利要求1所述的非易失性存储装置，

在所述第一电极与所述第一布线之间设置有第一电流控制层。