[发明专利]碳化硅衬底及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤：

制备每个均由碳化硅制成的多个单晶体(1)(S10)；

通过布置所述多个单晶体(1)并且在其间插入连接层(2，7，52)来形成包括所述单晶体(1)的集合体(S20)，所述连接层(2，7，52)包含硅；

经由所述连接层(2，7，52)的至少一部分，通过所述连接层(2，7，52)将相邻的单晶体(1)彼此连接(S30)，通过加热所述集合体将所述至少一部分形成为碳化硅；以及

对其中所述单晶体(1)彼此连接的所述集合体进行切片(S60)。

2.根据权利要求1所述的用于制造碳化硅衬底的方法，其中，在连接的步骤(S30)中，使用液相外延方法来将所述连接层(2，7，52)的所述至少一部分形成为碳化硅。

3.根据权利要求1所述的用于制造碳化硅衬底的方法，其中：

在连接的步骤(S30)中，将所述连接层(2，7，52)的一部分形成为碳化硅，

所述方法进一步包括下述步骤：通过在连接的步骤(S30)之后加热所述集合体以在所述连接层(2，7，52)延伸的方向上形成温度梯度，来从所述连接层(2，7，52)中的形成为碳化硅的所述部分到所述连接层(2，7，52)中没有形成为碳化硅的部分生长碳化硅。

4.根据权利要求1所述的用于制造碳化硅衬底的方法，其中，在连接的步骤(S30)中，在包含碳的气氛下加热所述集合体。

5.根据权利要求1所述的用于制造碳化硅衬底的方法，其中，在形成所述集合体的步骤(S20)中，使用包含硅作为其主要成分的片型构件作为所述连接层(2，7)。

6.根据权利要求1所述的用于制造碳化硅衬底的方法，其中：形成所述集合体的步骤(S20)包括下述步骤：

布置所述多个单晶体(1)并且在其间具有间隔，

设置连接构件(6)以覆盖所述间隔，所述连接构件(6)包含硅作为其主要成分，以及

通过加热和熔融所述连接构件(6)并且使因此熔融的所述连接构件(6)流入所述间隔中，来形成所述连接层(52)。

7.根据权利要求1所述的用于制造碳化硅衬底的方法，其中，在形成所述集合体的步骤(S20)中，使用化学气相沉积方法来形成所述连接层(2，7)。

8.根据权利要求1所述的用于制造碳化硅衬底的方法，其中，在连接的步骤(S30)中，在设置覆盖构件(5)以覆盖所述连接层(2，52)的端表面的情况下加热所述集合体。

9.根据权利要求8所述的用于制造碳化硅衬底的方法，其中，所述覆盖构件(5)包含硅和碳中的一种作为其主要成分。

10.根据权利要求8所述的用于制造碳化硅衬底的方法，其中，在连接的步骤(S30)中，在所述覆盖构件(5)和所述集合体之间设置中间层(6)。

11.根据权利要求10所述的用于制造碳化硅衬底的方法，其中，所述中间层(6)包含碳化硅和碳中的一种作为其主要成分。

12.一种碳化硅衬底(30)，包括：

多个单晶区域(31，32)，所述多个单晶区域(31，32)每个均由碳化硅制成；以及

连接层(33)，所述连接层(33)由碳化硅制成，位于所述多个单晶区域(31，32)之间，并且将所述单晶区域(31，32)彼此连接，

所述单晶区域(31，32)中的每一个形成为从所述碳化硅衬底的第一主表面延伸到所述碳化硅衬底的与所述第一主表面相反的第二主表面，

所述单晶区域(31，32)在从所述第一主表面到所述第二主表面的厚度方向上具有相同的结晶度，

所述多个单晶区域(31，32)在所述第一主表面中的晶体取向方面彼此不同，

所述连接层(33)的结晶度低于所述单晶区域(31，32)中的每一个的结晶度。