[发明专利]氮化物类半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物类半导体元件，其具备：

具有p型GaN类半导体区域的氮化物类半导体叠层构造；和

在所述p型GaN类半导体区域上设置的电极，

所述p型GaN类半导体区域中的主面的法线与m面的法线所形成的角度在1°以上5°以下，

所述电极包括与所述p型GaN类半导体区域的所述主面相接触的Mg层、和在所述Mg层上形成的Ag层。

2.根据权利要求1所述的氮化物类半导体元件，其中，

所述p型GaN类半导体区域由Al_xIn_yGa_zN半导体形成，其中x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物类半导体元件，其中，

所述Ag层被由与Ag不同的金属构成的保护电极覆盖。

4.根据权利要求1至3的任意一项所述的氮化物类半导体元件，其中，

所述Ag层被由电介质构成的保护层覆盖。

5.根据权利要求1至4的任意一项所述的氮化物类半导体元件，其中，

所述氮化物类半导体叠层构造具有包括Al_aIn_bGa_cN层在内的活性层，所述活性层进行发光，其中a+b+c＝1，a≥0，b≥0，c≥0。

6.根据权利要求1至5的任意一项所述的氮化物类半导体元件，其中，

所述p型GaN类半导体区域是p型接触层。

7.根据权利要求1至6的任意一项所述的氮化物类半导体元件，其中，

所述Mg层的厚度在所述Ag层的厚度以下。

8.根据权利要求1至7的任意一项所述的氮化物类半导体元件，其中，

所述Mg层中的N浓度低于Ga浓度。

9.根据权利要求1至8的任意一项所述的氮化物类半导体元件，其中，

还具有支撑所述氮化物类半导体叠层构造的半导体基板。

10.根据权利要求1至9的任意一项所述的氮化物类半导体元件，其中，

所述p型GaN类半导体区域是GaN。

11.根据权利要求1至10的任意一项所述的氮化物类半导体元件，其中，

所述Mg层以及所述Ag层的至少一部分形成合金。

12.根据权利要求1至11的任意一项所述的氮化物类半导体元件，其中，

所述Mg层为岛状。

13.根据权利要求1至12的任意一项所述的氮化物类半导体元件，其中，

所述Mg层由Mg-Ag合金形成。

14.一种光源，其具备：

氮化物类半导体发光元件；和

波长变换部，其包含荧光物质，该荧光物质对从所述氮化物类半导体发光元件放射出的光的波长进行变换，其中，

所述氮化物类半导体发光元件具备：

具有p型GaN类半导体区域的氮化物类半导体叠层构造；和

在所述p型GaN类半导体区域上设置的电极，

所述p型GaN类半导体区域中的主面的法线与m面的法线所形成的角度在1°以上5°以下，

所述电极包括与所述p型GaN类半导体区域的所述主面相接触的Mg层、和在所述Mg层上形成的Ag层。

15.根据权利要求14所述的光源，其中，

所述p型GaN类半导体区域由Al_xIn_yGa_zN半导体构成，其中x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0。

16.根据权利要求14或15所述的光源，其中，

所述p型GaN类半导体区域是GaN。

17.根据权利要求14至16的任意一项所述的光源，其中，

所述Mg层以及所述Ag层的至少一部分形成合金。