[发明专利]β型赛隆、发光装置及其用途

说明书

技术领域

本发明涉及被作为荧光体进行利用的β型赛隆、发光装置及其用途，所述荧光体能够用于使用了蓝色发光二极管或紫外线发光二极管的发光装置中。

背景技术

在专利文献1中，记载了含有Eu的β型赛隆，其可以用作白色LED的荧光体等的发光装置的绿～黄色发光成分。β型赛隆是一种荧光体，在其晶体结构内所含有的Eu²⁺被紫外至蓝色的光激发，从而显示出峰值波长为520～560nm的绿～黄色发光。

在专利文献2中，公开了一种使含有Eu的β型赛隆的发光效率提高的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第3921545号公报

专利文献2：国际公开第2008/062781号小册子

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的在于，提供一种在荧光测定中具有更高的峰值强度的β型赛隆。而且，本发明的目的还在于，提供一种使用了在荧光测定中具有更高的峰值强度的β型赛隆而发出更明亮的光的发光装置、图像显示装置和照明装置。

用于解决课题的方法

本发明是一种β型赛隆，其用通式：Si_6-zAl_zO_zN_8-z:Eu(0<z<4.2)表示，P2/P1为0.5以上至1000以下(在式中，P1是在25℃下用电子自旋共振法所得到的一阶微分光谱(first derivative spectra)中g=2.00±0.02处所出现的吸收线的高度，P2是在比P1更低的磁场侧的光谱中的最大值与最小值的差)。

P2/P1优选为1.9以上至1000以下。

优选为，β型赛隆的低磁场侧的光谱中的最大值和最小值都出现在g=3.5以上至6.0以下。

与β型赛隆在25℃下的电子自旋共振光谱中g=2.00±0.02处所出现的吸收线相对应的自旋密度，优选为6×10¹⁶个/克以下。

β型赛隆的Eu含量，优选为0.1质量％以上至3质量％以下。

优选为，β型赛隆在“照射了波长450nm的蓝色光时的峰值波长”为520nm以上至560nm以下，其荧光光谱的半峰宽(half width)为45nm以上至70nm以下。

从其他观点来看，本发明是一种发光装置，其具有发光光源和搭载在发光光源的发光面上的波长转换部件，并在波长转换部件上配置有上述的β型赛隆。

从其他观点来看，本发明是一种图像显示装置，其具有液晶面板和液晶面板的背光源，背光源具有上述的发光装置。

从其他观点来看，本发明是一种照明装置，其具有上述的发光装置。

发明效果

本发明的β型赛隆在荧光测定中具有更高的峰值强度。利用了该β型赛隆的发光装置、图像显示装置和照明装置，由于使用了在荧光测定中具有更高的峰值强度的β型赛隆，所以可发出更明亮的光。

附图说明

图1是表示不含有Eu的β型赛隆的ESR光谱图。

图2是表示含有Eu的β型赛隆的ESR光谱图。

图3是表示氧化铕粉末的ESR光谱图。

图4是表示实施例1的β型赛隆的ESR光谱图。

图5是表示实施例2和比较例1的β型赛隆的ESR光谱图。

具体实施方式

本发明是一种β型赛隆，其用通式：Si_6-zAl_zO_zN_8-z:Eu(0<z<4.2)表示，P2/P1为0.5以上至1000以下(在式中，P1是在25℃下用电子自旋共振法所得到的一阶微分光谱中g=2.00±0.02处所出现的吸收线的高度，P2是在比P1更低的磁场侧的光谱中的最大值与最小值的差)。

本发明中的P1是，在25℃下用电子自旋共振法(以下称为ESR(Electron Spin Resonance)法)所得到的一阶微分光谱中g=2.00±0.02处所出现的吸收线的高度，具体地说，在图4中表示为P1。本发明中的P2是在比P1更低的磁场侧的光谱中的最大值与最小值的差，具体地说，在图4中表示为P2。