[发明专利]半导体接合保护用玻璃合成物、半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体接合保护用玻璃合成物，其特征在于：

至少含有SiO₂、Al₂O₃、ZnO、CaO、3mol％～10mol％的B₂O₃，且实质上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K。

2.根据权利要求1所述的半导体接合保护用玻璃合成物，其特征在于：

其中，

SiO₂的含有量在32mol％～48mol％的范围内，

Al₂O₃的含有量在9mol％～13mol％的范围内，

ZnO的含有量在18mol％～28mol％的范围内，

CaO的含有量在15mol％～23mol％的范围内，

B₂O₃的含有量在3mol％～10mol％的范围内。

3.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，依次包括：

准备具有pn接合露出的pn接合露出部的半导体元件的第1工序；

形成覆盖所述pn接合露出部的玻璃层的第2工序，

其中，在所述第2工序中，使用至少含有SiO₂、Al₂O₃、ZnO、CaO、3mol％～10mol％的B₂O₃、且实质上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K的半导体接合保护用玻璃合成物并形成所述玻璃层。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第1工序包括准备具有与主面平行的pn接合的半导体基体的工序，以及，通过从所述半导体基体一侧的表面形成超过所述pn接合的深度的槽，从而在所述槽的内部形成所述pn接合露出部的工序；

所述第2工序包括形成覆盖所述槽的内部的所述pn接合露出部的所述玻璃层的工序。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第2工序包括形成将位于所述槽内部的所述pn接合露出部直接覆盖的所述玻璃层的工序。

6.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第2工序包括在所述槽的内部的所述pn接合露出部上形成绝缘膜的工序，以及形成介于所述绝缘膜覆盖所述pn接合露出部的所述玻璃层的工序。

7.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第1工序包括在半导体基体的表面上形成所述pn接合露出部的工序；

所述第2工序包括形成覆盖位于所述半导体基体表面的所述pn接合露出部的所述玻璃层的工序。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第2工序包括形成直接覆盖位于所述半导体基体表面的所述pn接合露出部的所述玻璃层的工序。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述第2工序包括在位于所述半导体基体表面的所述pn接合露出部上形成绝缘膜的工序，以及，形成介于所述绝缘膜覆盖所述pn接合露出部的所述玻璃层的工序。

10.根据权利要求3～9任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

其中，所述半导体接合保护用玻璃合成物，其

SiO₂的含有量在32mol％～48mol％的范围内，

Al₂O₃的含有量在9mol％～13mol％的范围内，

ZnO的含有量在18mol％～28mol的范围内，

CaO的含有量在15mol％～23mol％的范围内，

B₂O₃的含有量在3mol％～10mol％的范围内。