[发明专利]转换器

权利要求书

1.一种转换器，是同步整流型的转换器，其具备：

第1开关单元；

第2开关单元，其与所述第1开关单元串联连接，与所述第1开关单元的开关动作同步地进行开关动作；和

栅极驱动电路，其通过脉冲宽度调制来控制所述第1开关单元和所述第2开关单元的导通动作及截止动作，其中，

所述第1及第2开关单元具有：

在导通动作时在正向及反向的双向导通而在截止动作时正向不导通的沟道区域；和

仅在所述反向导通的单极型的二极管区域，

所述栅极驱动电路，使从所述栅极驱动电路输出用于所述第1开关单元变为所述导通的开关动作的信号的定时、与从所述栅极驱动电路输出用于所述第2开关单元变为所述截止的开关动作的信号的定时相一致，并且使从所述栅极驱动电路输出用于所述第1开关单元变为所述截止的开关动作的信号的定时、与从所述栅极驱动电路输出用于所述第2开关单元变为所述导通的开关动作的信号的定时相一致。

2.根据权利要求1所述的转换器，其中，

所述栅极驱动电路基于一个输入信号，生成用于驱动所述第1开关单元的第1驱动信号、和驱动所述第2开关单元并且波形相对于所述第1驱动信号翻转的第2驱动信号。

3.根据权利要求2所述的转换器，其中，

所述栅极驱动电路由脉冲变压器构成，

所述脉冲变压器具备：

初级线圈，其被施加所述输入信号；

第1次级线圈，其将所述第1驱动信号施加于所述第1开关单元；和

第2次级线圈，其将所述第2驱动信号施加于所述第2开关单元。

4.根据权利要求1所述的转换器，其中，

通过所述栅极驱动电路对所述各开关单元的所述栅极包含的电容进行充电，从而使该开关单元进行切换至所述导通的开关动作，

通过所述栅极驱动电路从所述各开关单元的所述栅极包含的电容中进行放电，从而使该开关单元进行切换至所述截止的开关动作，

将进行所述充电的回路内的第1电阻设定得大于进行所述放电的回路内的第2电阻，由此与切换至所述导通的开关动作相比，加快所述各开关单元中切换至所述截止的开关动作。

5.根据权利要求1所述的转换器，其中，

通过所述栅极驱动电路对所述各开关单元的所述栅极包含的电容进行充电，从而使该开关单元进行切换至所述导通的开关动作，

通过所述栅极驱动电路从所述各开关单元的所述栅极包含的电容中进行放电，从而使该开关单元进行切换至所述截止的开关动作，

在进行所述充电的回路内及进行所述放电的回路内，分别包含二极管，

在进行所述充电的回路内，还包含与所述二极管串联连接的电阻，由此与切换至所述导通的开关动作相比，进一步加快所述各开关单元中的切换至所述截止的开关动作。

6.根据权利要求1所述的转换器，其中，

所述二极管区域具备：构成所述各开关单元的半导体元件具有的半导体层、以及与该半导体层相接配置的肖特基电极。

7.根据权利要求1所述的转换器，其中，

所述各开关单元是金属-绝缘体-半导体场效应晶体管。

8.根据权利要求7所述的转换器，其中，

所述金属-绝缘体-半导体场效应晶体管还具备源极及漏极，

所述沟道区域和所述二极管区域是同一区域，

将所述金属-绝缘体-半导体场效应晶体管的阈值电压设为Vth，

将以所述源极的电位为基准的所述栅极的电位设为Vgs，

将以所述源极的电位为基准的所述漏极的电位设为Vds，

在Vgs≥Vth且Vds≥0的情况下，经由所述沟道区域从所述漏极向所述源极流过电流，

在Vgs≥Vth且Vds＜0的情况下，经由所述沟道区域从所述源极向所述漏极流过电流，

在Vgs＜Vth且Vds≥0的情况下，所述源极与所述漏极不导通，

在0≤Vgs＜Vth、且Vds低于规定电压的情况下，经由所述沟道区域从所述源极向所述漏极流过电流。