[发明专利]半导体元件的安装方法

权利要求书

1.一种半导体元件的安装方法，是将半导体元件的第二电极超声波接合于载置在基板台上的基板的第一电极的半导体元件的安装方法，包括：

接合辅助剂供给工序，向至少任意一方由铜形成的第一电极或第二电极上供给接合辅助剂；以及

超声波接合工序，通过在将第二电极按压于第一电极的状态下给予超声波振动，来对第一电极和第二电极进行金属接合，

在超声波接合工序中，至少在第一电极和第二电极进行金属接合为止的期间，至少在第一电极和第二电极之间的接合界面的周围存在接合辅助剂。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的安装方法，其中，

接合辅助剂具有还原性，

在超声波接合工序中，在第一电极和第二电极进行金属接合时，第一电极和第二电极之间的接合界面局部被加热，利用该热，接合辅助剂引起还原反应。

3.根据权利要求2所述的半导体元件的安装方法，其中，

基板的第一电极由铜形成，

在接合辅助剂供给工序中，向基板的第一电极上供给接合辅助剂。

4.根据权利要求2所述的半导体元件的安装方法，其中，

基板的第一电极由铜形成，半导体元件的第二电极由金形成，

在超声波接合工序中，在由铜形成的第一电极和由金形成的第二电极之间的接合界面的周围存在接合辅助剂的状态下，进行第一电极和第二电极的金属接合。

5.根据权利要求2所述的半导体元件的安装方法，其中，

还包括接合辅助剂去除工序，该接合辅助剂去除工序，在超声波接合工序后去除残存在基板和半导体元件之间的接合辅助剂。

6.根据权利要求5所述的半导体元件的安装方法，其中，

在接合辅助剂去除工序中，通过对残存在基板和半导体元件之间的接合辅助剂进行加热使其蒸发，来进行接合辅助剂的去除。

7.根据权利要求2所述的半导体元件的安装方法，其中，

还包括氧化膜去除工序，该氧化膜去除工序，在接合辅助剂供给工序前去除由铜形成的至少第一电极或第二电极中的任意一方的电极上的氧化膜。

8.根据权利要求2所述的半导体元件的安装方法，其中，

接合辅助剂具有OH基。

9.根据权利要求2所述的半导体元件的安装方法，其中，

接合辅助剂的沸点为200℃以上。

10.一种半导体元件搭载基板的制造方法，是对搭载了半导体元件的基板进行制造的方法，包括：

权利要求2～权利要求9中任一项所述的半导体元件的安装方法；以及

树脂密封工序，在接合辅助剂去除工序后，用树脂对包含基板和半导体元件的间隙以及第一电极和第二电极的接合部分在内的区域进行密封。

11.一种发光元件搭载基板的制造方法，包括：

第二电极的半导体元件是发光元件的、权利要求1所述的半导体元件的安装方法；

接合辅助剂去除工序，去除残存在基板和发光元件之间的接合辅助剂；以及

树脂密封工序，用光透过性的树脂对包含基板和发光元件的间隙以及第一电极和第二电极的接合部分在内的区域进行密封，

在超声波接合工序中，至少在第一电极和第二电极进行金属接合为止的期间，第一电极和第二电极之间的接触界面被接合辅助剂覆盖。

12.根据权利要求11所述的发光元件搭载基板的制造方法，其中，

还包括氧化膜去除工序，该氧化膜去除工序，在接合辅助剂供给工序前，去除由铜形成的至少第一电极或第二电极中的任意一方的电极上的氧化膜。

13.根据权利要求12所述的发光元件搭载基板的制造方法，其中，

基板的第一电极由铜形成，

在氧化膜去除工序中，去除基板的第一电极上的氧化膜，

在接合辅助剂供给工序中，向基板的第一电极上供给接合辅助剂。

14.根据权利要求12所述的发光元件搭载基板的制造方法，其中，

基板的第一电极由铜形成，发光元件的第二电极由金形成，

在超声波接合工序中，在由铜形成的第一电极和由金形成的第二电极之间的接触界面被接合辅助剂覆盖的状态下，进行第一电极和第二电极的金属接合。