[发明专利]混合电路有效
申请号: | 201180004775.0 | 申请日: | 2011-11-07 |
公开(公告)号: | CN102640414A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 上田洋介 | 申请(专利权)人: | 旭化成微电子株式会社 |
主分类号: | H03D7/00 | 分类号: | H03D7/00;H03D7/12;H03D7/14;H03F1/02;H03F3/45 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 混合 电路 | ||
1.一种混合电路,其特征在于,
具有输入部、频率变换部以及输出电压信号生成部,
其中,上述输入部具有:
栅极接地型第一MOS晶体管,其源极被输入输入信号;以及
源极接地型第二MOS晶体管,其栅极被输入上述输入信号,
上述频率变换部通过基于局部振荡信号对从上述第一MOS晶体管的漏极输出的第一电流信号和从上述第二MOS晶体管的漏极输出的第二电流信号进行频率变换,来生成第三电流信号和第四电流信号,
上述输出电压信号生成部具备:
第一负载元件,其被输入上述第三电流信号并将上述第三电流信号变换为第一输出电压信号;以及
第二负载元件,其被输入上述第四电流信号并将上述第四电流信号变换为第二输出电压信号,
上述第一负载元件是栅极与漏极连接的第三MOS晶体管,上述第二负载元件是栅极与漏极连接的第四MOS晶体管。
2.根据权利要求1所述的混合电路,其特征在于,
上述第一MOS晶体管、上述第二MOS晶体管、上述第三MOS晶体管、上述第四MOS晶体管的沟道长度和沟道宽度相同。
3.根据权利要求1或2所述的混合电路,其特征在于,
上述频率变换部包括:
第五MOS晶体管和第六MOS晶体管,从上述第一MOS晶体管对该第五MOS晶体管和第六MOS晶体管的源极提供上述第一电流信号,该第五MOS晶体管和第六MOS晶体管的栅极被提供上述局部振荡信号;以及
第七MOS晶体管和第八MOS晶体管,从上述第二MOS晶体管对该第七MOS晶体管和第八MOS晶体管的源极提供上述第二电流信号,该第七MOS晶体管和第八MOS晶体管的栅极被提供上述局部振荡信号。
4.根据权利要求3所述的混合电路,其特征在于,
上述输出电压信号生成部包括:
上述第三MOS晶体管,从上述第五MOS晶体管和上述第七MOS晶体管对该第三MOS晶体管的源极提供上述第三电流信号;以及
上述第四MOS晶体管,从上述第六MOS晶体管和上述第八MOS晶体管对该第四MOS晶体管的源极提供上述第四电流信号,
其中,从上述第三MOS晶体管的源极输出上述第一输出电压信号,从上述第四MOS晶体管的源极输出上述第二输出电压信号。
5.根据权利要求1所述的混合电路,其特征在于,还包括:
第一可变电阻元件,其与上述第三MOS晶体管的源极连接;以及
第二可变电阻元件,其与上述第四MOS晶体管的源极连接,
其中,上述第三电流信号经由上述第一可变电阻元件被输入到上述第三MOS晶体管,上述第四电流信号经由上述第二可变电阻元件被输入到上述第四MOS晶体管。
6.根据权利要求1所述的混合电路,其特征在于,还包括:
第三可变电阻元件,其与上述第一MOS晶体管的源极连接;以及
第四可变电阻元件,其与上述第二MOS晶体管的源极连接。
7.根据权利要求6所述的混合电路,其特征在于,
上述第一可变电阻元件、上述第二可变电阻元件、上述第三可变电阻元件、上述第四可变电阻元件的电阻值被设定为相同的值。
8.根据权利要求1所述的混合电路,其特征在于,
上述频率变换部的变换损耗的值大致为2/π。
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