[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于包括：

发光半导体芯片，形成N型半导体层、活性层及P型半导体层；荧光物质层，为使上述发光半导体芯片输出的光转换成需要的光而具有基于上述发光半导体芯片输出的光的波长的荧光体配合比，涂布于上述发光半导体芯片上面；结合层，配置于上述荧光物质层与上述发光半导体芯片之间，把上述荧光物质层结合于上述发光半导体芯片。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：

上述结合层包含硅树脂、环氧树脂、有机聚合物、玻璃树脂中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：

还包括为保护上述荧光物质层而在上述荧光物质层的上面涂布的保护层。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：

上述保护层包含硅树脂、环氧树脂、有机聚合物、玻璃树脂中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：

上述发光半导体芯片输出的上述光的波长为蓝色波长或紫外线波长。

6.一种发光二极管制造方法，用于制造发光二极管，其特征在于包括：

蒸镀步骤，在晶圆基板上蒸镀N型半导体层、活性层及P型半导体层，形成发光半导体芯片；检测步骤，检测从上述发光半导体芯片输出的光的波长；配合比决定步骤，利用上述检测的发光半导体芯片的波长数据，为使上述发光半导体芯片能够输出需要的光而决定与之对应的荧光体配合比；结合层形成步骤，在把基于上述决定的荧光体配合比的荧光物质涂布于上述发光半导体芯片上之前，在上述发光半导体芯片上面形成结合层；以及荧光物质层形成步骤，在上述结合层的上面，形成基于上述决定的配合比的荧光物质层。

7.根据权利要求6所述的发光二极管制造方法，其特征在于：

还包括一个步骤，在形成上述结合层之前，遮蔽上述发光半导体芯片的一部分区域。

8.根据权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于：

还包括一个步骤，在上述荧光物质层的上面形成保护层。

9.一种发光二极管制造方法，用于制造发光二极管，其特征在于包括：

蒸镀步骤，在晶圆基板上蒸镀N型半导体层、活性层及P型半导体层，形成发光半导体芯片；检测步骤，检测从上述发光半导体芯片输出的光的波长；配合比决定步骤，利用上述检测的发光半导体芯片的波长数据，为使上述发光半导体芯片能够输出需要的光而决定与之对应的荧光体配合比；荧光物质层形成步骤，形成基于上述决定的配合比的荧光物质层；以及保护层形成步骤，在上述荧光物质层的上面形成保护层。

10.根据权利要求9所述的发光二极管制造方法，其特征在于：

还包括一个步骤，在形成上述荧光物质层之前，遮蔽上述发光半导体芯片的一部分区域。