[发明专利]具有含氟聚合物填充层的井下电缆

权利要求书

1.一种井下电缆，其包括：

一绝缘导体部分；

一填充层，其毗邻并封装所述绝缘导体部分，其中所述填充层基本上由泡沫状含氟聚合物形成；以及

一铠装外壳，其应用在所述泡沫状含氟聚合物填充层的外部。

2.根据权利要求1所述的井下电缆，其中所述绝缘导体部分进一步包括由绝缘材料包围的至少一种导体材料。

3.根据权利要求2所述的井下电缆，其中所述导体材料进一步包括多导体、光纤电流复合材料和光纤光学材料中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的井下电缆，其中所述泡沫状含氟聚合物进一步包括经气体注入形成的孔结构。

5.根据权利要求4所述的井下电缆，其中经气体注入形成的孔结构进一步包括经氮气注入形成的孔结构。

6.根据权利要求1所述的井下电缆，其中所述填充层产生一径向压缩力作用在所述绝缘导体部分和所述铠装外壳上，其中所述径向压缩力可抵抗所述绝缘导体部分和所述铠装外壳之间的拔出力。

7.根据权利要求6所述的井下电缆，其中所述填料层在高于150℃的温度下抵抗拔出力。

8.根据权利要求6所述的井下电缆，其中所述填料层在高于250℃的温度下抵抗拔出力。

9.根据权利要求1所述的井下电缆，其中所述绝缘导体部分进一步包括至少一第一和一第二导体材料，其中所述第一导体材料传导第一信号而所述第二导体材料传导不同于所述第一信号的第二信号。

10.根据权利要求1所述的井下电缆，其中所述填充层由以下至少一种材料制成：聚全氟乙丙烯（FEP）、全氟烷氧基聚合物树脂（PFM）、改性全氟烷氧基聚合物（MFM）、乙烯-四氟乙烯共聚物（ETFE）、乙烯-三氟氯乙烯共聚物（ECTFE）、聚偏氟乙烯（PVDF）、聚甲基戊烯（TPX）、聚醚醚酮（PEEK）、共聚物和合成聚合物。

11.根据权利要求1所述的井下电缆，其中所述铠装外壳完全封装所述泡沫状含氟聚合物填充层。

12.根据权利要求1所述的井下电缆，其中所述铠装外壳进一步包括编织的、实心的、基于微粒的和分层的保护材料的至少一种。

13.根据权利要求1所述的井下电缆，其中所述铠装外壳连接到至少一个锚固结构上。

14.一种制造井下电缆的方法，所述方法包括以下步骤：

使填充层在绝缘导体部分周围成泡沫状，所述填充层毗邻并封装绝缘导体部分，其中所述填充层大体上为含氟聚合物；以及

在所述填充层的外部应用一铠装外壳。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述使填充层在绝缘导体部分周围成泡沫状的步骤进一步包括通过注入气体创建泡沫状孔结构。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述使填充层在绝缘导体部分周围成泡沫状包括形成一径向压缩力作用在所述绝缘导体部分和所述铠装外壳上，其中所述径向压缩力抵抗所述绝缘导体部分和所述铠装外壳之间的拔出力。

17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括在高于150℃的温度下抵抗拔出力的步骤。

18.根据权利要求14所述的方法，进一步包括通过所述绝缘导体部分内的导电材料传输至少一种信号的步骤。

19.根据权利要求14所述的方法，进一步包括将铠装外壳连接到至少一个锚固结构上的步骤。

20.一种井下电缆，其包括：

至少一种细长的导体材料；

至少一种绝缘材料，其完全封装所述至少一种细长的导体材料；

一填充层，其毗邻并封装所述至少一种绝缘材料，其中所述填充层大体上由泡沫状含氟聚合物形成，其中所述泡沫状含氟聚合物包括经氮气注入形成的泡沫状孔结构；以及

一铠装外壳，其应用在所述泡沫状含氟聚合物填充层的外部并完全封装所述泡沫状含氟聚合物填充层。