[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，所述发光二极管包括：

基底；

第一氮化物半导体层，布置在基底上；

活性层，布置在第一氮化物半导体层上；

第二氮化物半导体层，布置在活性层上；

第三氮化物半导体层，设置在第一氮化物半导体层和活性层之间或者在第二氮化物半导体层和活性层之间，第三氮化物半导体层包括在第三氮化物半导体层内的多个散射元件；

分布式布拉格反射器，具有多层结构，所述基底布置在分布式布拉格反射器和第三氮化物半导体层之间。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，散射元件包括被第三氮化物半导体层包围的空气间隙。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，空隙间隙布置在距离活性层50nm至1000nm的范围内。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，空气间隙之间的间隔在100nm至1000nm的范围内。

5.根据权利要求3所述的发光二极管，其中，空气间隙的宽度和高度均在50nm至1000nm的范围内。

6.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，第三氮化物半导体层布置在第一氮化物半导体层和活性层之间，空气间隙布置在距离活性层100nm至1000nm的范围内。

7.根据权利要求2所述的发光二极管，其中，第三氮化物半导体层布置在第二氮化物半导体层和活性层之间，空气间隙布置在距离活性层50nm至1000nm的范围内。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，所述发光二极管还包括设置在空气间隙和活性层之间的覆盖层。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，分布式布拉格反射器具有对蓝色波长区域内的第一波长的光、绿色波长区域内第二波长的光以及红色波长区域内第三波长的光的至少90％的反射率。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，所述发光二极管还包括反射金属层，分布式布拉格反射器布置在基底和反射金属层之间。

11.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，散射元件包含氧化硅或氮化硅。

12.根据权利要求1所述的发光二极管，其中，散射元件包括岛形的矩阵、多条线或网形。

13.一种发光二极管，所述发光二极管包括：

半导体堆叠件，布置在支撑基底上，半导体堆叠件包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；

第一电极，布置在支撑基底和半导体堆叠件之间，第一电极与半导体堆叠件欧姆接触，第一电极包括暴露于半导体堆叠件的外部的第一区域；

第一结合焊盘，布置在第一电极的第一区域上，第一结合焊盘电连接到第一电极；

第二电极，布置在半导体堆叠件上，

其中，第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层中的至少一个包括多个彼此分隔开的散射元件。

14.根据权利要求13所述的发光二极管，其中，散射元件包括分布式布拉格反射器或空气层。

15.根据权利要求13所述的发光二极管，其中，第一电极包括反射层和保护层，其中，反射层设置在半导体堆叠件和保护层之间。

16.根据权利要求15所述的发光二极管，其中，反射层被半导体堆叠件和保护层完全覆盖。

17.根据权利要求13所述的发光二极管，其中，散射元件包括空气层并布置在距离活性层50nm至1000nm的范围内。

18.根据权利要求13所述的发光二极管，其中，每个散射元件的宽度和高度在50nm至1000nm的范围内。

19.根据权利要求17所述的发光二极管，其中，散射元件之间的间隔在100nm至1000nm的范围内。

20.根据权利要求13所述的发光二极管，其中，散射元件包括岛形的矩阵、多条线或网形。