[发明专利]白色半导体发光装置

权利要求书

1.一种白色半导体发光装置，其具有荧光体作为发光材料，并具有半导体发光元件作为所述荧光体的激发源，且所述荧光体至少含有绿色荧光体及宽谱带红色荧光体，其中，

所述绿色荧光体包含选自含有Eu2+为活化剂的绿色荧光体、或含有Ce3+为活化剂的绿色荧光体中的至少一种绿色荧光体，所述含有Eu2＋为活化剂的绿色荧光体以由碱土金属硅氧氮化物或塞隆形成的晶体为母体，

用光通量进行了标准化的所述白色半导体发光装置的发光光谱在波长640nm处的强度为用光通量进行了标准化的显色性显色性评价用基准光的光谱在波长640nm处的强度的100~110％。

2.根据权利要求1所述的白色半导体发光装置，其发出的白色光的相关色温在2500~3500K的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的白色半导体发光装置，其中，所述绿色荧光体包含β塞隆：Eu。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的白色半导体发光装置，其中，

所述半导体发光元件的发光峰值波长在360~430nm的范围内，

所述荧光体进一步包含蓝色荧光体，

所述白色半导体发光装置发出白色光，所述白色光包含所述蓝色荧光体、所述绿色荧光体及所述宽谱带红色荧光体所分别发出的光。

5.根据权利要求4所述的白色半导体发光装置，其中，所述半导体发光元件是在405~415nm的范围内具有发光峰值波长的InGaN系LED元件。

6.根据权利要求4或5所述的白色半导体发光装置，其中，所述蓝色荧光体包含被Eu²⁺活化的碱土金属卤磷酸盐荧光体。

7.根据权利要求1~3中任一项所述的白色半导体发光装置，其中，所述半导体发光元件的发光峰值波长在430~470nm的范围内。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的白色半导体发光装置，其中，

所述荧光体进一步含有黄色荧光体，

所述白色半导体发光装置发出白色光，所述白色光至少包含所述绿色荧光体、所述黄色荧光体及所述宽谱带红色荧光体所分别发出的光。

9.根据权利要求1~8中任一项所述的白色半导体发光装置，其中，所述宽谱带红色荧光体包含(CaAlSiN₃)_1-x(Si_(3n+2)/4N_nO)_x:Eu。

10.一种白色半导体发光装置，其具有第一白色发光单元和第二白色发光单元，所述第一白色发光单元和第二白色发光单元分别具有荧光体作为发光材料，并具有半导体发光元件作为所述荧光体的激发源，所述荧光体至少包含绿色荧光体及宽谱带红色荧光体，其中，

所述第一白色发光单元和第二白色发光单元各自的用光通量进行了标准化的发光光谱在波长640nm处的强度为用光通量进行了标准化的显色性评价用基准光的光谱在波长640nm处的强度的100~110％，

所述白色半导体发光装置能够发出二次白光，所述二次白光是通过所述第一白色发光单元发出的一次白光与所述第二白色发光单元发出的一次白光混合而合成的。

11.根据权利要求10所述的白色半导体发光装置，其中，所述第一白色发光单元发出的一次白光的相关色温与所述第二白色发光单元发出的一次白光的相关色温之差为2000K以上。

12.根据权利要求11所述的白色半导体发光装置，其中，所述第一白色发光单元发出的一次白光的相关色温在2500~3500K的范围内，所述第二白色发光单元发出的一次白光的相关色温在4500~7000K的范围内。