[发明专利]将膜接合到基板上的方法无效
申请号: | 201180005185.X | 申请日: | 2011-04-18 |
公开(公告)号: | CN102696115A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 中川彻;伊藤彰宏 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L21/02;H01L21/20 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;彭益群 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 到基板上 方法 | ||
1.一种将膜接合到基板上的方法,所述方法包括以下步骤(A)至(E):
步骤(A):在水性液体与水不溶性液体之间的界面上漂浮所述膜,其中:
所述膜的一个表面亲水,
与所述一个表面相对的所述膜的另一个表面包括斥水膜,并且
使所述膜飘浮,以使所述一个表面与所述水性液体接触并且所述另一个表面与所述水不溶性液体接触;
步骤(B):将所述基板浸到所述水性液体中;
步骤(C):将所述基板堆叠到所述水性液体中的所述膜的所述一个表面上;
步骤(D):将堆叠的基板和膜浸到所述水不溶性液体中并保持所述基板堆叠在所述膜上以将所述膜附着至所述基板上;和
步骤(E):将堆叠的基板和膜从所述水不溶性液体中拉起并保持所述基板堆叠在所述膜上以将所述膜接合到所述基板上。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括以下步骤Sa和Sb:
步骤Sa:在步骤(A)之前,制备容器,其中:
所述容器包括第一部分、第二部分和隔板,
所述隔板被设置在所述第一部分与所述第二部分之间,
所述隔板不与所述容器的底面接触,从而提供连通路径,
所述第一部分的上部用所述水性液体填充,并且
所述第二部分和所述第一部分的下部用所述水不溶性液体填充;和
步骤Sb:在步骤(D)与步骤(E)之间,将所述基板和所述膜通过所述连通路径从所述第一部分转移至所述第二部分并保持所述基板堆叠在所述膜上。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括以下步骤Sa和Sb:
步骤Sa:在步骤(A)之前,制备容器,其中:
所述容器包括第一部分、第二部分和隔板,
所述隔板被设置在所述第一部分与所述第二部分之间,
所述隔板不与所述容器的底面接触,从而提供连通路径,
所述第一部分的上部用所述水不溶性液体填充,并且
所述第二部分和所述第一部分的下部用所述水性液体填充;和
步骤Sb:在步骤(B)与步骤(C)之间,将所述基板通过所述连通路径从所述第二部分转移至所述第一部分。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述膜包括III-V化合物半导体。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述基板亲水。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的