[发明专利]太阳能电池设备及其制造方法有效
申请号: | 201180005271.0 | 申请日: | 2011-10-25 |
公开(公告)号: | CN102782874A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 白程值 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;林锦辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 设备 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池设备及其制造方法。
背景技术
一种制造用于发电的太阳能电池的方法如下。在已经制备衬底之后,后电极层形成在该衬底上并被激光图案化,从而形成多个后电极。
之后,在后电极上顺序地形成光吸收层、缓冲层和高阻缓冲层。光吸收层可以通过各种方法形成,诸如通过同时或单独蒸发Cu、In、Ga和Se形成基于Cu(In,Ga)Se2(CIGS)的光吸收层的方法,以及在形成金属前驱膜之后执行硒化过程的方法。光吸收层的能带隙在约1eV至约1.8eV的范围内。
之后,通过溅射过程在光吸收层上形成包括硫化镉CdS缓冲层。缓冲层的能带隙在约2.2eV至约2.4eV的范围内。之后,通过溅射过程在缓冲层上形成包括ZnO的高阻缓冲层。高阻缓冲层的能带隙在约3.1eV至约3.3eV的范围内。
之后,可以在光吸收层、缓冲层和高阻缓冲层中形成凹槽图案。
之后,在高阻缓冲层上层叠透明导电材料,并且用透明导电材料填充凹槽图案。因此,在高阻缓冲层上形成透明电极层之后,在凹槽图案中形成连接线。构成透明电极层和连接线的材料可以包括掺杂铝的氧化锌。透明电极层的能带隙在约3.1eV至约3.3eV的范围内。
之后,在透明电极层中形成凹槽图案,从而可以形成多个太阳能电池。透明电极和高阻缓冲部与电池相对应。透明电极和高阻缓冲部可以布置为条状形式或矩阵形式。
透明电极和后电极彼此错开,并且通过连接线互相电连接。因此,太阳能电池可以互相串联电连接。
发明内容
技术问题
本发明涉及一种能够被容易地制造且具有提高的电特性的太阳能电池设备。
技术方案
根据实施例,一种太阳能电池设备包括:衬底,包括电池区域和围绕所述电池区域的外围区域;在所述电池区域中的电池;以及连接电极,与所述电池连接并且被设置在所述外围区域中。所述电池包括:在所述衬底上的后电极;在所述后电极上的光吸收部;以及在所述光吸收部上的前电极。所述连接电极从所述后电极延伸。
根据实施例,一种太阳能电池设备包括:衬底;在所述衬底上的多个后电极层;在所述后电极层上的光吸收层;以及在所述光吸收层上的前电极层。所述后电极层包括:彼此分隔开的多个后电极;以及与所述多个后电极中的一个一体形成的连接电极。
根据实施例,一种制造太阳能电池设备的方法包括:在包括电池区域和围绕所述电池区域的外围区域的衬底上形成后电极层;通过图案化后电极层在所述电池区域中形成多个后电极并且在所述外围区域中形成连接电极;在所述后电极上形成光吸收层;以及在所述光吸收层上形成前电极层。
有益效果
如上所述,根据实施例的太阳能电池设备,所述电池可以通过连接电极与外部充电装置或相邻太阳能电池板连接。在此情形中,连接电极从后电极延伸。具体地,连接电极可以与后电极一体形成。
因此,可以减小连接电极和后电极之间的连接电阻。具体地,连接电极可以包括与后电极的材料相同的材料。例如,连接电极可以包括诸如Mo的表现低电阻的材料。
因此,根据实施例的太阳能电池设备,可以改进连接电极的电特性,并且可以改进太阳能电池设备的整体电特性。
因此,根据实施例的太阳能电池设备可以表现提高的光电转换效率。
此外,由于当形成后电极时可以形成连接电极,因此可以在无需额外过程的情况下形成连接电极。
具体地,由于不额外需要将母线结合到前电极的过程,因此可以容易地形成根据实施例的太阳能电池设备。
附图说明
图1是图示根据实施例的太阳能电池组件的平面图;
图2是图示根据实施例的太阳能电池组件的下表面的视图;
图3是沿图1的A-A’线截取的剖视图;
图4是沿图1的B-B’线截取的剖视图;
图5是沿图1的C-C’线截取的剖视图;以及
图6至14是图示根据实施例的制造所述太阳能电池组件的过程的剖视图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的