[发明专利]分割溅镀靶及其制造方法

权利要求书

1.一种分割溅镀靶，是通过低熔点焊料将多个包括氧化物半导体的靶构件接合于支承板上而形成的分割溅镀靶，其特征在于，于所接合的靶构件间所形成的间隙，存在有覆盖支承板表面的低熔点焊料。

2.根据权利要求1所述的分割溅镀靶，其特征在于，低熔点焊料为使接合时的低熔点焊料残存于间隙者。

3.根据权利要求1或2所述的分割溅镀靶，其特征在于，低熔点焊料的间隙内的厚度为靶构件间所形成的间隙深度的10％至70％。

4.根据权利要求1至3的任一项所述的分割溅镀靶，其特征在于，氧化物半导体包括含有In、Zn、Ga的任一种以上的氧化物。

5.根据权利要求1至3的任一项所述的分割溅镀靶，其特征在于，氧化物半导体包括含有Sn、Ti、Ba、Ca、Zn、Mg、Ge、Y、La、Al、Si、Ga的任一种以上的氧化物所构成。

6.根据权利要求1至3的任一项所述的分割溅镀靶，其特征在于，氧化物半导体包括含有Cu、Al、Ga、In的任一种以上的氧化物。

7.一种分割溅镀靶的制造方法，是通过低熔点焊料将多个包括氧化物半导体的靶构件接合于支承板上而形成的分割溅镀靶的制造方法，其特征在于，通过低熔点焊料将多个靶构件接合于支承板上，且去除位于所接合的靶构件间所形成的间隙的低熔点焊料，而成为预定量的间隙深度。