[发明专利]用于半导体基板的剥落

权利要求书

1.一种从半导体基板的锭（201）剥落层（601）的方法，所述方法包括：

在所述半导体基板的锭（201）上形成金属层（501），其中所述金属层中的拉伸应力被配置为造成在所述锭内的开裂（603）；以及

在所述开裂处自所述锭（201）移除所述层（601）。

2.如权利要求1的方法，其中所述金属层（501）包括镍Ni。

3.如权利要求1的方法，其中形成所述金属层（501）包括电镀。

4.如权利要求1的方法，其进一步包括在形成所述金属层（501）之前在所述锭（201）上形成籽晶层（202）。

5.如权利要求4的方法，其中所述籽晶层（202）包括钯Pd。

6.如权利要求4的方法，其中所述半导体基板包括硅，及所述籽晶层（202）包括银Ag层下的钛Ti层。

7.如权利要求1的方法，其进一步包括在形成所述金属层（501）之前形成粘着层（301），其中所述粘着层包括镍Ni。

8.如权利要求7的方法，其进一步包括在低于约500℃的温度将所述粘着层（301）退火。

9.如权利要求1的方法，其中在所述开裂（603）处自所述锭（201）移除所述半导体基板的所述层（601）包括将处理层（602）粘着至所述金属层（501）。

10.如权利要求9的方法，其中所述处理层（602）具有小于5米的曲率半径。

11.如权利要求1的方法，其中所述金属层（501）的厚度小于50微米。

12.如权利要求1的方法，其中所述金属层（501）中的拉伸应力大于约100百万帕斯卡。

13.一种自半导体基板的锭（201）剥落层（601）的系统，所述系统包括：

形成于所述半导体基板的锭（201）上的金属层（501），其中在所述金属层内的拉伸应力被配置为造成在所述锭内的开裂（603），且其中所述层（601）被配置为在所述开裂处自所述锭被移除。

14.如权利要求13的系统，其中所述金属层（501）包括镍Ni。

15.如权利要求13的系统，其进一步包括形成于所述锭（201）上的籽晶层（202），其中所述半导体基板包括p型半导体基板。

16.如权利要求13的系统，其进一步包括形成于所述金属层（501）下的粘着层（301），其中所述粘着层包括镍Ni。

17.如权利要求13的系统，其进一步包括粘着至所述金属层（501）的处理层（602）。

18.如权利要求16的系统，其中所述处理层（602）具有小于5米的曲率半径。

19.如权利要求13的系统，其中所述金属层（501）的厚度小于50微米。

20.如权利要求13的系统，其中所述金属层（501）中的拉伸应力大于约100百万帕斯卡。