[发明专利]单结光伏电池

权利要求书

1.一种用于形成单结光伏电池（600）的方法，所述方法包含：

形成掺杂物层（202）于半导体基板（201）的表面上；

扩散掺杂物层（202）进入半导体基板的锭，以形成半导体基板的掺杂层（301）；

形成金属层（401）于所述掺杂层（301）上方，其中所述金属层中的拉伸应力被配置成在所述半导体基板（201）中导致开裂（503）；

从半导体基板（201）在开裂（503）处去除半导体层（501）；以及

使用半导体层（501）形成单结光伏电池（600）。

2.如权利要求1的方法，其中所述掺杂物层（202）包含锌。

3.如权利要求1的方法，其中所述金属层（401）包含镍。

4.如权利要求3的方法，其中金属层（401）的厚度大于大约2微米。

5.如权利要求1的方法，其中形成所述金属层（401）包含电镀。

6.如权利要求1的方法，其中所述半导体基板（201）包含具有<110>表面晶向的砷化镓。

7.如权利要求1的方法，其中所述半导体基板（501）处于压缩应变下，该压缩应变由所述金属层（401）中的拉伸应力所诱发。

8.如权利要求1的方法，还包括在形成所述金属层（401）之前形成籽晶层（302）于掺杂层（301）上。

9.如权利要求8的方法，其中所述籽晶层（302）包含钛，且籽晶层被配置成在使用所述半导体层（501）形成单结光伏电池（600）期间充当蚀刻停止层。

10.如权利要求1的方法，还包括在扩散掺杂物层之前形成籽晶层（302）于掺杂层（301）上。

11.如权利要求1的方法，其中从半导体基板（201）在开裂（503）处去除所述半导体层（501）包含粘着处理层（502）于所述金属层（401），所述处理层包含塑料、聚合物、玻璃或金属的膜或者粘着带中的一个。

12.如权利要求1的方法，其中半导体层（501）的厚度小于大约50微米。

13.如权利要求1的方法，其中使用所述半导体层（501）形成单结光伏电池（600）包含：

形成欧姆接触层（601）于所述半导体层（501）上；以及

形成处理基板层（602）于所述欧姆接触层（601）上方，所述处理基板包含导电材料，该导电材料包含金属箔、玻璃或陶瓷材料中的一种。

14.如权利要求13的方法，其中使用所述半导体层（501）形成单结光伏电池（600）还包括：

去除金属层（401）；以及

形成图案化导电层（603a-d）于与半导体层（501）相对的掺杂层（301）的表面上。

15.一种单结光伏电池（600），其包含：

掺杂层（301），其包含扩散进入半导体基板（201）的掺杂物；

图案化导电层（603a-d），其形成于掺杂层（301）上；

半导体层（501），其包含位于在与图案化导电层（603a-d）相对的掺杂层表面上的掺杂层（301）上的半导体基板（201）；以及

欧姆接触层（601），其形成于半导体层（501）上。

16.如权利要求15的单结光伏电池（600），其中掺杂物包含锌。

17.如权利要求15的单结光伏电池（600），还包括处理基板层（602），其位于欧姆接触层（601）上方，处理基板包含导电材料，该导电材料包含金属箔、玻璃或陶瓷材料中的一种。

18.如权利要求15的单结光伏电池（600），其中半导体基板（201）包含具有<110>表面晶向的砷化镓GaAs。

19.如权利要求15的单结光伏电池（600），其中半导体层（501）处于压缩应变下。

20.如权利要求15的单结光伏电池（600），其中半导体层（501）的厚度小于大约50微米。