[发明专利]液冷一体型基板及液冷一体型基板的制造方法

权利要求书

1.一种液冷一体型基板，在陶瓷基板的一个面上接合有由铝或铝合金制成的金属电路板，并在另一个面上接合有由铝或铝合金制成的平板状的金属底板的一个面，在所述金属底板的另一个面上接合有由挤压件构成的液冷式的散热器，其特征在于，

所述金属电路板的厚度t1与所述金属底板的厚度t2之间的关系满足下式（1），

t2/t1≥2……（1）

所述金属电路板的厚度t1为0.4～3mm，所述金属底板的厚度t2为0.8～6mm。

2.如权利要求1所述的液冷一体型基板，其特征在于，所述散热器由多孔管制成的，并将所述金属底板与所述散热器钎焊接合。

3.如权利要求1所述的液冷一体型基板，其特征在于，

所述多孔管的制冷剂的流路即槽宽W（mm）与槽深D（mm）之间的关系满足下式。

3.3W＜D＜10W 。

4.如权利要求3所述的液冷一体型基板，其特征在于，

所述多孔管的制冷剂的流路即槽宽W（mm）与隔板的宽度T（mm）之间的关系满足下式。

-W＋1.4＜T/W＜-1.5W＋3.3（在0.4≤W≤1.0时）

-0.2W＋0.7＜T/W＜-1.5W＋3.3（在1.0＜W＜2.0时） 。

5.如权利要求3所述的液冷一体型基板，其特征在于，所述槽宽W为0.4mm以上。

6.如权利要求1所述的液冷一体型基板，其特征在于，所述散热器由导热率为170W/mK以上的铝或铝合金制成。

7.如权利要求1所述的液冷一体型基板，其特征在于，所述金属底板由导热率为170W/mK以上的铝或铝合金制成。 

8.如权利要求1所述的液冷一体型基板，其特征在于，所述金属电路板由导热率为170W/mK以上的铝或铝合金制成。

9.如权利要求1所述的液冷一体型基板，其特征在于，通过熔液接合法或钎焊接合法来进行所述陶瓷基板与所述金属电路板的接合、所述陶瓷基板与所述金属底板的接合及所述金属底板与所述散热器的接合。

10.如权利要求1所述的液冷一体型基板，其特征在于，所述多孔管的隔板弯曲。

11.一种液冷一体型基板的制造方法，该液冷一体型基板在陶瓷基板的一个面上接合有由铝或铝合金制成的金属电路板，并在另一个面上接合有由铝或铝合金制成的平板状的金属底板的一个面，在所述金属底板的另一个面上接合有由挤压件构成的液冷式的散热器，其特征在于，

通过熔液接合法进行所述金属电路板及所述金属底板与所述陶瓷基板的接合，

通过钎焊接合法进行所述金属底板与所述散热器的接合，

所述金属电路板的厚度t1与所述金属底板的厚度t2之间的关系形成为满足下式（1）的厚度。

t2/t1≥2……（1） 。

12.如权利要求11所述的液冷一体型基板的制造方法，其特征在于，所述金属电路板的厚度t1为0.4～3mm，所述金属底板的厚度t2为0.8～6mm。

13.如权利要求11所述的液冷一体型基板的制造方法，其特征在于，在以式（2）以上的面压加压之后，进行加热，并将所述金属底板与所述散热器钎焊接合。

面压（N/mm²）＝-1.25×10^-3×（散热器的截面二次矩）＋2.0……（2） 。

14.如权利要求11所述的液冷一体型基板的制造方法，其特征在于，

所述散热器由多孔管制成，所述多孔管的制冷剂的流路即槽宽W（mm）与槽深D（mm）之间的关系满足下式。 

3.3W＜D＜10W 。

15.如权利要求14所述的液冷一体型基板的制造方法，其特征在于，

所述多孔管的制冷剂的流路即槽宽W（mm）与隔板的宽度T（mm）之间的关系满足下式。

-W＋1.4＜T/W＜-1.5W＋3.3（在0.4≤W≤1.0时）

-0.2W＋0.7＜T/W＜-1.5W＋3.3（在1.0＜W＜2.0时） 。

16.如权利要求14所述的液冷一体型基板的制造方法，其特征在于，所述槽宽W为0.4mm以上。