[发明专利]半导体传感器部件

权利要求书

1.一种半导体部件，尤其是为了用作微机电半导体器件诸如压力传感器或加速度传感器中的对于机械应力敏感的部件，具有：

-半导体衬底(1，5)，在该半导体衬底的上侧上通过离子注入引入有源区(78a，200)，该有源区由第一导电类型的材料构成，

-其中在有源区(78a，200)内构建有限定的长度(L)和宽度(B)的半导体沟道区，

-其中在有源区(78a，200)中纵向伸展部中的沟道区的端部上分别连接有接触区(79，80)，接触区由第二导电类型的半导体材料构建，以及

-其中沟道区被离子注入掩膜材料(81)覆盖，其具有限定沟道区的长度(L)的横向边缘以及限定沟道区的宽度(B)的纵向边缘，并且在沟道区的对置的并且与沟道区的纵向延伸端部平齐的横向边缘上分别具有边缘留空部(201，202)，与沟道区邻接的接触区(79，80)延伸至边缘留空部中。

2.根据权利要求1所述的半导体部件，其特征在于，沿着离子注入掩膜材料(81)的纵向边缘引入横向形成沟道区的边界的离子注入区(82，83，206)，离子注入区朝着沟道区的边界与离子注入掩膜材料(81)的纵向边缘平齐。

3.根据权利要求2所述的半导体部件，其特征在于，在离子注入掩膜材料(81)的俯视图中看，在离子注入掩膜材料(81)的横向边缘上的边缘留空部(101，102)基本上U形地构建，并且具有两个对置的、彼此平行的侧边缘(201b，202b)，所述侧边缘分别带有将其连接的基本边缘(201a，201b)，其中两个边缘留空部(201，202)的侧边缘(201b，202b)成对地分别在共同的线上。

4.根据权利要求3所述的半导体部件，其特征在于，离子注入掩膜材料(81)的纵向边缘分别具有在离子注入掩膜材料(81)的俯视图中看基本上U形的边缘留空部(207，208)，所述边缘留空部分别具有在沟道纵向伸展中走向的基本边缘(207a，208a)和优选与其基本上成直角走向的侧边缘(207b，208b)，并且离子注入掩膜材料(81)的纵向边缘留空部(207，208)的基本边缘(207a，208a)分别在离子注入掩膜材料(81)的横向边缘留空部(201，202)的侧边缘(201b，202b)的共同的线上。

5.根据权利要求1至4之一所述的半导体部件，其特征在于，在离子注入掩膜材料(81)之下将沟道注入部(205)引入有源区(78a，200)中。

6.根据权利要求1至5之一所述的半导体部件，其特征在于，第一导电类型为n导电类型而第二导电类型为p导电类型。