[发明专利]氮化硅质基板、及使用其的电路基板以及电子装置有效
| 申请号： | 201180005905.2 | 申请日： | 2011-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102714191A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 石峰裕作;森山正幸;小松原健司 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/15 | 分类号： | H01L23/15;H01L23/13;H05K1/02;H05K1/03 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 硅质基板 使用 路基 以及 电子 装置 | ||
1.一种氮化硅质基板，其特征在于，在由氮化硅质烧结体形成的基板的主面一体化有含硅的多个粒状体，从所述粒状体的局部延伸出多个以氮化硅为主成分的针状结晶或柱状结晶。
2.根据权利要求1所述的氮化硅质基板，其特征在于，所述粒状体一体化为相对于所述基板的主面的半球状。
3.根据权利要求1或2所述的氮化硅质基板，其特征在于，所述粒状体被配置为多列状。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化硅质基板，其特征在于，所述粒状体的密度为48个/cm2以上502个/cm2以下。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的氮化硅质基板，其特征在于，所述粒状体含有铝氧化物。
6.根据权利要求5所述的氮化硅质基板，其特征在于，所述基板中的铝氧化物的含量比所述粒状体中的铝氧化物的含量少。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的氮化硅质基板，其特征在于，所述粒状体的碳含量为0.05质量％以下。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的氮化硅质基板，其特征在于，所述粒状体的氧含量为3.5质量％以下。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的氮化硅质基板，其特征在于，从所述基板的主面延伸出多个以氮化硅为主成分的第二针状结晶或第二柱状结晶，所述针状结晶或柱状结晶的直径比所述第二针状结晶或第二柱状结晶的直径更细。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的氮化硅质基板，其特征在于，与所述粒状体相比，构成所述基板的结晶的平均粒径更小，所述结晶以氮化硅为主成分。
11.一种电路基板，其特征在于，分别介由焊料，在由权利要求1～10中任一项所述的氮化硅质基板构成的支承基板的一个主面接合有由金属形成的电路构件，在所述支承基板的另一个主面接合有由金属形成的放热构件。
12.一种电子装置，其特征在于，在权利要求11所述的电路基板的所述电路构件上搭载有电子零件。
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