[发明专利]半导体激光器件和半导体激光器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光器件，其包括：

激光结构部，所述激光结构部具有相互面对的谐振器端面；以及

保护膜，所述保护膜形成于所述相互面对的谐振器端面中的至少一者上，

其中，所述保护膜是由具有多段结构的氮化物电介质膜形成的，所述多段结构的晶体结构从与所述谐振器端面相接触的那一侧起包含非晶层和多晶层。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器件，其中，所述保护膜的所述多晶层具有六方晶系晶体结构。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器件，其中，半导体的晶格常数a与所述保护膜中的所述六方晶系晶体结构的晶格常数a之间的晶格失配度为50%以上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体激光器件，其中，所述保护膜包含氮化物材料，所述氮化物材料的带隙能高于活性层的带隙能。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体激光器件，其中，

对于形成于光出射侧的第一端面上的所述保护膜，在该保护膜的所述多晶层的与所述非晶层相接触的那一侧的相反侧上形成有电介质保护膜。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体激光器件，其中，

对于形成于光反射侧的第二端面上的所述保护膜，在该保护膜的所述多晶层的与所述非晶层相接触的那一侧的相反侧上通过重复堆叠多层电介质膜设置有多层结构膜，

所述光反射侧的第二端面与所述光反射侧的第一端面是相互面对的。

7.一种半导体激光器件制造方法，其包括以下步骤：

第一步：形成具有相互面对的谐振器面的激光结构部；以及

第二步：在所述相互面对的谐振器面中的至少一者上形成保护膜，

其中，所述保护膜是由具有多段结构的氮化物电介质膜形成的，所述多段结构的晶体结构从与所述谐振器面相接触的那一侧起包含非晶层和多晶层。

8.根据权利要求7所述的半导体激光器件制造方法，其中，所述保护膜的所述多晶层具有六方晶系晶体结构。

9.根据权利要求8所述的半导体激光器件制造方法，其中，半导体的晶格常数a与所述保护膜中的所述六方晶系晶体结构的晶格常数a之间的晶格失配度为50%以上。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的半导体激光器件制造方法，其中，所述保护膜包含氮化物材料，所述氮化物材料的带隙能高于活性层的带隙能。