[发明专利]碳化硅单晶体的制造装置

权利要求书

1.一种碳化硅单晶体的制造装置，其包括坩埚，该坩埚用于容纳含有碳化硅的晶种和配设在与该晶种相对一侧并用于上述晶种的生长的升华用原料，

上述坩埚包括：

坩埚主体，其用于容纳上述升华用原料；以及

盖体，其供上述晶种配设；

上述盖体的与上述晶种的径向中央侧相对应的中央区域处的厚度大于上述盖体的与比上述晶种的径向中央侧靠径向外侧处相对应的周边区域处的厚度。

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶体的制造装置，其中，

上述盖体的外侧的表面中的、上述盖体的中央区域处的外侧的表面比上述周边区域处的外侧的表面更朝向上述坩埚的外侧突出。

3.根据权利要求2所述的碳化硅单晶体的制造装置，其中，

沿着上述盖体的突出表面配置有隔热材料。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的碳化硅单晶体的制造装置，其中，

在上述盖体的内侧配设有供上述晶种安装的安装部，

上述盖体的中央区域处的厚度和上述安装部的厚度之和大于上述盖体的与上述周边区域相对应部分的厚度和上述安装部的厚度之和。