[发明专利]用以沉积防反射层于基材上的方法

权利要求书

1.一种用以沉积防反射层(6)于基材(1)上的方法，其包括下列步骤：

提供具有多个太阳能电池结构(2)的基材(1)；

将该基材(1)布置于真空腔室(11)内，该真空腔室(11)具有含硅的固体(13)，其中，该固体(13)与接地电位(14)之间能够施加一定的电压；

在该固体(13)与该接地电位(14)之间断开电压期间，将含氮反应气体(20)在该真空腔室(11)内的流量调节至第一值；

将该含氮反应气体(20)的流量提高至第二值；

在该固体(13)与接地电位(14)间施加一定的电压；以及

以该含氮反应气体(20)高于该第一值的流量将由硅及氮构成的层(6)沉积于该基材(1)上。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在该固体(13)与该接地电位(14)之间被断开电压时及在该固体(13)与该接地电位(14)之间被施加电压时，流入真空腔室(11)中的非反应性气体(19)保持几乎同等大小的流量。

3.如权利要求1或权利要求2所述的方法，其特征在于，在断开该固体(13)与该接地电位(14)间的电压的步骤和在该固体(13)与接地电位(14)之间施加电压的步骤之间，该含氮反应气体(20)在该真空腔室(11)内的分压变化程度是低于10％。

4.如权利要求1至权利要求3中的任意一项权利要求所述的方法，其特征在于，在该含氮气体(20)的流量的该第一值与该第二值之间的差进行设置，使得该含氮反应气体(20)在该固体(13)与该接地电位(14)之间被施加电压后的1秒钟内保持稳定分压。

5.如权利要求1至权利要求4中的任意一项权利要求所述的方法，其特征在于，在对该含氮气体(20)的流量的该第一值与该第二值之间的差进行设置，使得在该固体(13)与该接地电位(14)之间被施加电压后的1秒钟内该电压保持稳定一致。

6.如权利要求1至权利要求5中的任意一项权利要求所述的方法，其特征在于，对该含氮气体(20)的流量的该第一值与该第二值之间的差进行设置，使得该防反射层(6)的沉积速率在该固体(13)与接地电位(14)之间被施加电压后的1秒钟内保持稳定一致。

7.如权利要求1至权利要求6中的任意一项权利要求所述的方法，其特征在于，采用纯氮或含氮化合物作为该含氮反应气体(20)。

8.如权利要求1至权利要求7中的任意一项权利要求所述的方法，其特征在于，采用包含多个单晶或多晶太阳能电池(2)的晶片作为该基材(1)。

9.如权利要求1至权利要求8中的任意一项权利要求所述的方法，其特征在于，提高该含氮反应气体(20)的流量并延迟一段时间后，接着在该固体(13)与该接地电位(14)之间施加电压。

10.如权利要求1至权利要求9中的任意一项权利要求所述的方法，其特征在于，藉由设置针型阀(22)来调节该含氮反应气体(20)的流量。

11.如权利要求1至权利要求10中的任意一项权利要求所述的方法，其特征在于，使用质量流量控制器(24)来调节该含氮反应气体(20)的流量，其中，对该质量流量控制器(24)的额定值进行设置，使得在该固体(13)与该接地电位(14)之间被断开电压时及在该固体(13)与该接地电位(14)之间被施加电压时，该含氮反应气体(20)保持同等大小的分压。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，藉由在该质量流量控制器(24)的下游与该真空腔室(11)的上游所排出气流来调节该含氮反应气体(20)在该真空腔室内的流量。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，该质量流量控制器(24)的额定值保持不变，藉由在该质量流量控制器(24)的下游与该真空腔室(11)的上游排出气流来设置该含氮反应气体(20)在该真空腔室内的流量，其中，该含氮反应气体(20)在该固体(13)与该接地电位(14)之间被断开电压时及在该固体(13)与该接地电位(14)之间被施加电压时保持同等大小的分压。