[发明专利]用于半导体处理的具有涂覆材料的气体分配喷洒头无效
申请号: | 201180006807.0 | 申请日: | 2011-01-25 |
公开(公告)号: | CN102770945A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 詹尼弗·孙;赛恩·撒奇;段仁官;托马斯·格瑞斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316;H01L21/205 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 处理 具有 材料 气体 分配 喷洒 | ||
1.一种气体分配喷洒头组件,所述气体分配喷洒头组件在半导体处理腔室中使用,所述气体分配喷洒头组件包括:
气体分配板,所述气体分配板具有第一组通孔,所述第一组通孔用于将处理气体输送进入所述半导体处理腔室中;以及
涂覆材料,所述涂覆材料被喷涂在所述气体分配板上,其中所述涂覆材料具有第二组通孔,所述第二组通孔与所述第一组通孔对准,用以将处理气体输送进入所述半导体处理腔室中。
2.根据权利要求1所述的气体分配喷洒头组件,其中所述涂覆材料为等离子体喷涂的涂层。
3.根据权利要求2所述的气体分配喷洒头组件,其中所述涂覆材料包括下列材料的至少其中一者或是下列材料的组合:氧化钇、YAG、Y2O3/2OZrO2、Y2O3、Al2O3/YAG、先进涂覆材料、Y2O3/ZrO2/Nb2O5、ZrO2/3Y2O3以及Y2O3/ZrO2/HfO2。
4.根据权利要求3所述的气体分配喷洒头组件,其中所述先进涂覆材料包括YtO3、AlO3以及ZrO3。
5.根据权利要求1所述的气体分配喷洒头组件,其中所述第一组通孔的直径为约0.070英寸到0.090英寸,所述第二组通孔的直径为约0.010英寸到0.030英寸,其中,所述涂覆材料的厚度为约0.020英寸到0.030英寸,其中所述第一组通孔中的每一个通孔与所述第二组通孔中的两个通孔对准。
6.一种制造气体分配喷洒头组件的方法,所述方法包括如下步骤:
提供气体分配板,所述气体分配板具有第一组通孔,所述第一组通孔用于将处理气体输送进入半导体处理腔室中;以及
将涂覆材料等离子体喷涂至所述气体分配板上。
7.根据权利要求6所述的方法,还包括如下步骤:
移除所述涂覆材料的一部分,以减少所述涂覆材料的厚度。
8.根据权利要求6所述的方法,还包括如下步骤:
在所述涂覆材料中形成第二组通孔,以使得所述第二组通孔与所述第一组通孔对准。
9.根据权利要求6所述的方法,其中,所述涂覆材料包括氧化钇。
10.根据权利要求6所述的方法,其中,所述涂覆材料包括下列材料的至少其中一者或是下列材料的组合:
YAG、Y2O3/2OZrO2、Y2O3、Al2O3/YAG、先进涂覆材料、Y2O3/ZrO2/Nb2O5、ZrO2/3Y2O3以及Y2O3/ZrO2/HfO2。
11.根据权利要求6所述的方法,其中,所述先进涂覆材料包括YtO3、AlO3以及ZrO3。
12.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第一组通孔的直径为约0.070英寸到0.090英寸,并且所述第二组通孔的直径为约0.010英寸到0.030英寸。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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