[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201180007101.6 | 申请日： | 2011-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN102725836A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 伊藤慎吾 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;赵曦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
具有电极焊盘的半导体元件，
搭载所述半导体元件、形成有电接合部件的基材，
对所述电极焊盘和所述电接合部件进行电连接的焊线，
封装所述半导体元件和所述焊线、并由热固化性树脂组合物的固化物构成的封装树脂；
所述电极焊盘的主成分金属为与所述焊线的主成分金属相同的金属，或者与所述焊线的主成分金属不同，
所述电极焊盘的主成分金属与所述焊线的主成分金属不同时，在所述封装树脂的后固化温度下，所述焊线的主成分金属与所述电极焊盘的主成分金属在所述焊线和所述电极焊盘的接合部相互扩散的速度小于在所述后固化温度下金（Au）与铝（Al）在铝（Al）和金（Au）的接合部相互扩散的速度。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电极焊盘的主成分金属为金（Au）、或钯（Pd），
所述焊线的主成分金属为金（Au）、铜（Cu）或银（Ag）。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其用于汽车。
4.根据权利要求1～3中任1项所述的半导体装置，其中，相对于构成所述焊线的金属成分整体，所述焊线含有99质量%以上的金（Au）。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述电极焊盘由金（Au）构成。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述电极焊盘由钯（Pd）构成。
7.根据权利要求1～6中任1项所述的半导体装置，其中，所述基材为具有芯片焊盘部的引线框架，
在所述芯片焊盘部上搭载有所述半导体元件。
8.根据权利要求1～7中任1项所述的半导体装置，其中，所述封装树脂为含有（A）环氧树脂、（B）固化剂、（C）无机填充材料的环氧树脂组合物的固化体。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述（A）环氧树脂为多官能环氧树脂。
10.根据权利要求1～9中任1项所述的半导体装置，其中，所述封装树脂的所述后固化温度为175℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
