[发明专利]用于光伏电池的薄板无效
申请号: | 201180007118.1 | 申请日: | 2011-01-25 |
公开(公告)号: | CN102725866A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 高敏镇 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 黄丽娟;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电池 薄板 | ||
1.一种用于光伏电池的薄板,该薄板包括树脂层,该树脂层包含有机硅树脂和高折射填料,对于波长为400nm的光,该高折射填料的折射率为1.55或大于1.55。
2.根据权利要求1所述的用于光伏电池的薄板,其中,所述有机硅树脂包含与硅原子连接的芳基。
3.根据权利要求2所述的用于光伏电池的薄板,其中,所述与硅原子连接的芳基相对于所述有机硅树脂中的全部硅原子的摩尔比大于0.3。
4.根据权利要求2所述的用于光伏电池的薄板,其中,所述有机硅树脂中的芳基为苯基。
5.根据权利要求1所述的用于光伏电池的薄板,其中,所述有机硅树脂由式1的平均组成式表示:
[式1]
(R3SiO1/2)a(R2SiO2/2)b(RSiO3/2)c(SiO4/2)d
其中,R是与硅原子直接连接的取代基,并且在R中的至少一个表示芳基的情况下,R独立地表示氢、羟基、环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、异氰酸酯基、烷氧基或一价烃基;在a+b+c+d为1,并且b和c不同时为0的情况下,a是0至0.6,b是0至0.95,c是0至0.8,d是0至0.4。
6.根据权利要求5所述的用于光伏电池的薄板,其中,所述R中的至少一个是羟基、环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基或乙烯基。
7.根据权利要求5所述的用于光伏电池的薄板,其中,所述R中的至少一个是环氧基。
8.根据权利要求5所述的用于光伏电池的薄板,其中,所述由式1的平均组成式表示的有机硅树脂包含式2或式3的硅氧烷单元:
[式2]
R1R2SiO2/2
[式3]
R3SiO3/2
其中,在R1和R2中的至少一个表示芳基的情况下,R1和R2独立地表示烷基或芳基;R3表示芳基。
9.根据权利要求8所述的用于光伏电池的薄板,其中,与所述有机硅树脂中的硅原子连接的全部芳基包含在式2或式3的硅氧烷单元中。
10.根据权利要求8所述的用于光伏电池的薄板,其中,所述式2的硅氧烷单元是选自式4和式5的硅氧烷单元中的至少一种:
[式4]
(C6H5)CH3SiO2/2
[式5]
(C6H5)2SiO2/2。
11.根据权利要求8所述的用于光伏电池的薄板,其中,所述式3的硅氧烷单元是式6的硅氧烷单元:
[式6]
(C6H5)SiO3/2。
12.根据权利要求1所述的用于光伏电池的薄板,其中,所述有机硅树脂的重均分子量是300~100,000。
13.根据权利要求1所述的用于光伏电池的薄板,其中,所述薄板还包括基底,所述树脂层形成于该基底上。
14.根据权利要求12所述的用于光伏电池的薄板,其中,所述基底是金属箔、氟树脂膜、聚酯膜,或者是层压有上述中的两个或更多个的薄板。
15.根据权利要求1所述的用于光伏电池的薄板,其中,所述高折射填料的平均粒度为40nm~100,000nm。
16.根据权利要求1所述的用于光伏电池的薄板,其中,相对于100重量份的所述有机硅树脂,所述树脂层包含0.1重量份~70重量份的所述高折射填料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的