[发明专利]等离子体氮化处理方法

权利要求书

1.一种等离子体氮化处理方法，其特征在于：

将含有氮气的处理气体导入等离子体处理装置的处理容器，生成高氮剂量条件的含氮等离子体，对具有氧化膜的被处理体进行高氮剂量的等离子体氮化处理后，生成低氮剂量条件的含氮等离子体，对被处理体进行低氮剂量的等离子体氮化处理，

在所述高氮剂量条件的等离子体氮化处理结束后，向同一所述处理容器内导入稀有气体、氮气和氧气，在所述处理容器内的压力为532Pa以上833Pa以下，且全部处理气体中的氧气的体积流量比为1.5％以上5％以下的条件下，生成添加有微量氧的氮等离子体，利用该添加有微量氧的氮等离子体在所述处理容器内进行等离子体陈化处理。

2.如权利要求1所述的等离子体氮化处理方法，其特征在于：

所述高氮剂量条件的等离子体氮化处理中对被处理体的氮剂量的目标值为10×10¹⁵atoms／cm²以上50×10¹⁵atoms／cm²以下，所述低氮剂量条件的等离子体氮化处理中对被处理体的氮剂量的目标值为1×10¹⁵atoms／cm²以上10×10¹⁵atoms／cm²以下。

3.如权利要求1所述的等离子体氮化处理方法，其特征在于：

所述等离子体为利用所述处理气体和由具有多个隙缝的平面天线导入所述处理容器内的微波而形成的微波激发等离子体。

4.如权利要求3所述的等离子体氮化处理方法，其特征在于：

所述等离子体陈化处理中的所述微波的功率在1000W以上1200W以下的范围内。