[发明专利]具有欠压检测电路的数据处理系统

权利要求书

1.一种欠压检测电路，包括：

第一电阻性元件，其具有第一端子以及第二端子，该第一端子耦接到第一电源电压端子；

第一导电类型的第一晶体管，其具有耦接到所述第一电阻性元件的第二端子的第一电流电极、控制电极、和第二电流电极；

第二导电类型的第二晶体管，其具有耦接到第一晶体管的第二电流电极的第一电流电极、控制电极、以及耦接到第二电源电压端子的第二电流电极；以及

比较器，其具有耦接到所述第一电阻性元件的第一端子的第一输入端子、耦接到第一电阻性元件的第二端子的第二输入端子、以及用于提供欠压检测信号的输出端子。

2.根据权利要求1所述的欠压检测电路，其中所述欠压检测电路是包括静态随机存取存储器SRAM单元的数据处理系统的一部分，其中所述第一晶体管模拟所述SRAM单元的具有第一导电类型的晶体管的第一阈值电压，第二晶体管模拟所述SRAM单元的具有第二导电类型的晶体管的第二阈值电压。

3.根据权利要求1所述的欠压检测电路，还包括第二电阻性元件，所述第二电阻性元件耦接在所述第一晶体管和第二晶体管之间。

4.根据权利要求1所述的欠压检测电路，还包括：

驱动器电路，其具有耦接到所述比较器的输出端子的输入端子、以及输出端子；以及

锁存器，其具有耦接到所述驱动器电路的输出端子的输入端子、以及输出端子。

5.根据权利要求1所述的欠压检测电路，还包括第二电阻性元件，所述第二电阻性元件耦接在所述第二晶体管的第二电流电极和所述第二电源电压端子之间。

6.根据权利要求1所述的欠压检测电路，其中所述比较器包括：

第三晶体管，其具有耦接到所述第一电源电压端子的第一电流电极以及耦接在一起的控制电极和第二电流电极；

第四晶体管，其具有耦接到所述第三晶体管的控制电极和第二电流电极的第一电流电极、耦接到第一电阻性元件的第一端子的控制电极、以及第二电流电极；

第五晶体管，其具有耦接到所述第一电源电压端子的第一电流电极、耦接到所述第三晶体管的控制电极和第二电流电极的控制电极、以及第二电流电极；以及

第六晶体管，具有耦接到所述第五晶体管的第二电流电极的第一电流电极、耦接到所述第一电阻性元件的第二端子的控制电极、以及耦接到所述第四晶体管的第二电流电极的第二电流电极。

7.根据权利要求6所述的欠压检测电路，其中所述第四晶体管的控制电极具有与所述第六晶体管的控制电极的宽度/长度比不同的宽度/长度比。

8.根据权利要求1所述的欠压检测电路，其中所述欠压检测电路用于监视向具有多个存储器单元的静态随机存取存储器SRAM提供的电源电压，其中所述第一晶体管为P沟道晶体管，而所述第二晶体管为N沟道晶体管，其中所述第一晶体管模拟所述多个存储器单元之一的P沟道晶体管的第一阈值电压，并且其中所述第二晶体管模拟所述多个存储器单元之一的N沟道晶体管的第二阈值电压。

9.根据权利要求1所述的欠压检测电路，其中所述第一电阻性元件的特征在于是多晶硅电阻器。

10.一种数据处理系统，包括：

处理器；

耦接到所述处理器的存储器，所述存储器包括多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每一个都耦接到第一电源电压端子和第二电源电压端子，每个存储器单元都具有耦接到数据存储节点的上拉晶体管和下拉晶体管；以及

欠压检测电路，包括：

第一电阻性元件，其具有耦接到所述第一电源电压端子的第一端子、以及第二端子；

P沟道晶体管，其具有耦接到所述第一电阻性元件的第二端子的源极、耦接到所述第二电源电压端子的栅极、以及漏极，其中所述P沟道晶体管用于模拟所述存储器的存储器单元的上拉晶体管的特性；

N沟道晶体管，其具有耦接到所述P沟道晶体管的漏极的漏极、耦接到所述第一电源电压端子的栅极、以及耦接到所述第二电源电压端子的源极，其中所述N沟道晶体管用于模拟所述存储器单元的下拉晶体管的特性；以及

比较器，其具有耦接到所述第一电阻性元件的第一端子的第一输入端子、耦接到第一电阻性元件的第二端子的第二输入端子、以及输出端子，用于响应于检测到提供给所述第一电源电压端子和第二电源电压端子的电源电压低于预定电压而提供欠压检测信号。