[发明专利]光致抗蚀剂移除处理装置及方法

权利要求书

1.一种用于从晶片移除光致抗蚀剂的方法，其特征在于：

将该晶片放置在密闭腔室中；

经由位于该腔室的外部的多个红外线灯照射并加热该晶片的表面，其中通过该腔室的窗口而将红外线能量直接辐射到该晶片的表面；

使该晶片与硫酸及过氧化氢接触，其中硫酸及过氧化氢与红外线辐射发生反应，以从该晶片的表面移除光致抗蚀剂；以及

冷却所述红外线灯周围的多个表面。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：在该腔室中同时提供硫酸及过氧化氢的雾化物的混合物。

3.如权利要求2所述的方法，其中，从多个分离的雾化喷嘴将硫酸及过氧化氢喷射到该腔室中，且在存在红外线辐射的条件下在该腔室中混合过氧化氢的雾化物与硫酸的雾化物。

4.如权利要求1所述的方法，其中该晶片为300mm直径的晶片，且所供应的硫酸及过氧化氢的组合总量等于或小于100毫升。

5.如权利要求1所述的方法，其中该晶片为300mm直径的晶片，且所供应的硫酸及过氧化氢的总量等于或小于50毫升。

6.如权利要求1所述的方法，其中该晶片为300mm直径的晶片，且硫酸及过氧化氢的组合在一起的流速等于或小于每分钟30毫升。

7.一种用于从300mm直径的晶片移除光致抗蚀剂的方法，包括：

将该晶片放置在密闭腔室中；

经由红外线辐射来照射该晶片的表面；以及

向该晶片上施加组合体积不超过100毫升的硫酸及过氧化氢，其中硫酸及过氧化氢与红外线辐射发生反应，以从该晶片的表面移除光致抗蚀剂。

8.如权利要求7所述的方法，还包括：施加组合体积不超过50毫升的硫酸及过氧化氢。

9.如权利要求7所述的方法，还包括：通过该腔室的窗口而将红外线辐射直接射到该晶片的表面。

10.如权利要求7所述的方法，其中该光致抗蚀剂为非布植式，且使用组合体积不超过20毫升的硫酸及过氧化氢。

11.一种用于从基板移除有机涂层的方法，包括：

将该基板放置到处理腔室中，并将作为分离流体的硫酸气溶胶和过氧化氢气溶胶引入该腔室中；

利用红外线辐射来照射该基板，并且在上升时间区间内将该基板的表面温度从环境温度升高到上升温度；

在驻留时间区间中保持该表面温度处于该上升温度；

在该驻留时间区间终止时，停止红外线辐射；以及

用去离子水喷射该基板。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，该上升温度为至少200°C，且该上升时间区间少于30秒。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，该基板暴露于该气溶胶混合物的时间总量少于120秒。

14.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所使用的硫酸及过氧化氢的总量少于60毫升。

15.如权利要求11所述的方法，其特征还在于，旋转该基板。

16.一种用于从基板移除有机涂层的方法，其特征在于：

将该基板暴露于硫酸及过氧化氢的气溶胶混合物；

利用红外线辐射来照射该基板，并且在上升时间区间内将该基板的表面温度从环境温度升高到上升温度；

当该基板的表面温度达到该上升温度时，停止红外线辐射；以及

用去离子水喷射该基板。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，硫酸及过氧化氢的组合总体积少于15毫升。

18.如权利要求16所述的方法，其特征在于，该上升温度为至少200°C。

19.一种用于从基板移除有机涂层的方法，其特征在于：

向该基板上施加硫酸；

利用红外线辐射来照射该基板，并且在上升时间区间内将该基板的表面温度从环境温度升高到上升温度；

在驻留时间区间中保持该表面温度处于该上升温度；

在该驻留时间区间终止时，停止红外线辐射；以及

用去离子水喷射该基板。