[发明专利]垫片状态化刮扫力矩模式化以达成恒定移除率无效
申请号: | 201180007343.5 | 申请日: | 2011-04-13 |
公开(公告)号: | CN102782814A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | S·瀚达帕尼;G·E·蒙柯;S·J·肖;J·G·冯;C·D·可卡;S·D·蔡;张寿松;C·C·加勒特森 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉;张欣 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 垫片 状态 化刮扫 力矩 模式 达成 恒定 | ||
1.一种用于调整抛光垫片的方法,包括:
对调整盘施加向下力,所述向下力推进所述调整盘抵住所述抛光垫片;
测量使所述调整盘刮扫所述抛光垫片所需的力矩;
通过比较所测量的力矩与模式化力轮廓(MFP),藉以确定向下力的变化量;以及
响应于所确定的变化量,调整所述调整盘施抵所述抛光垫片的所述向下力。
2.如权利要求1的方法,其中所述MFP包括所述向下力、所述力矩,以及所述抛光垫片对自基板的材料移除率之间的估计关系。
3.如权利要求1的方法,其中所述确定的步骤包括:
确定为维持所述抛光垫片自基板的材料移除率所必需的向下力的变化量。
4.如权利要求1的方法,其中所述确定的步骤包括:
确定为达成所述MFP的目标力矩所必需的向下力的减量。
5.如权利要求1的方法,其中所述确定的步骤包括:
响应于所测量的力矩小于所述MFP,确定为维持所述抛光垫片的恒定移除率所必需的向下力的增量。
6.如权利要求1的方法,其中所述调整所述向下力的步骤包括:为所述抛光垫片修改调整方案。
7.如权利要求1的方法,其中所述调整所述向下力的步骤包括:在所述抛光垫片的调整期间,原位调整所述向下力。
8.一种用于调整抛光垫片的方法,包括:
施加向下力,以推进调整盘抵住所述抛光垫片;
测量所述调整盘接触所述抛光垫片所产生的摩擦力;
比较所测量的摩擦力与模式化力轮廓(MFP),以确定向下力的变化量;以及
响应于所测量的摩擦力与所述MFP间的比较,调整所施加的向下力。
9.如权利要求8的方法,其中所述MFP还包括:
所述向下力、所述摩擦力,以及所述抛光垫片自基板的材料移除率之间的估计关系。
10.如权利要求9的方法,其中所述摩擦力包括为使调整头、平台,或抛光头中至少之一旋转所需的旋转力矩。
11.一种用于以一调整盘调整一抛光垫片的设备,所述设备包含:
平台,所述平台用以支撑所述抛光垫片;
调整头,所述调整头用以固定所述调整盘;
向下力致动器,所述向下力致动器可用于以使所述调整头对所述抛光垫片施以向下力的方式来移动所述调整头;
臂体,所述臂体耦接至所述调整头,以支撑所述调整头于所述平台上方;以及
刮扫致动器,所述刮扫致动器耦接至所述臂体且可用于使所述调整头刮扫所述平台;以及
刮扫力矩传感器,所述刮扫力矩传感器可用于在所述调整盘接触于所述抛光垫片时,测量为使所述调整头刮扫所述平台所需的力矩。
12.如权利要求11的设备,还包括:
一控制器,所述控制器耦接至所述向下力致动器,且所述控制器运作以指示所述向下力致动器以响应于一模式化力轮廓(MFP)而选择的一数值来施加所述向下力。
13.如权利要求12的设备,其中所述控制器可用于基于所述刮扫力矩传感器所测量的力矩而提供由所述向下力致动器提供的向下力的封闭回路控制,以维持所述抛光垫片自基板的实质恒定材料移除率。
14.如权利要求11的设备,还包括:
垫片厚度传感器,所述垫片厚度传感器耦接至所述调整头。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造