[发明专利]CMP浆流的闭环控制无效
申请号: | 201180007344.X | 申请日: | 2011-06-21 |
公开(公告)号: | CN102782815A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | G·E·蒙柯;S·D·蔡;S·J·肖;S·瀚达帕尼 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉;管琦琦 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cmp 闭环控制 | ||
1.一种方法,该方法包含以下步骤:
(a)测量抛光垫的厚度,所述抛光垫具有沟槽,这些沟槽配置在所述抛光垫的抛光表面中;
(b)确定配置在所述抛光表面中的这些沟槽的深度;
(c)响应于配置在所述抛光表面中的这些沟槽的所述确定深度,调整引入所述抛光表面的抛光浆液的流量;
(d)抛光预定数量的基板;以及
(e)重复步骤(a)至(d)。
2.如权利要求1的方法,其中所述预定数量的基板约为500个基板。
3.如权利要求1的方法,其中所述预定数量的基板约为1000个基板。
4.如权利要求1的方法,其中配置于所述抛光垫表面中的沟槽具有约40密尔的初始深度。
5.如权利要求1的方法,其中所述调整所述流量的步骤包含以下步骤:当这些沟槽的深度减少时,降低所述抛光浆液的所述流量。
6.如权利要求5的方法,其中所述测量抛光垫厚度的步骤包含以下步骤:使用感应式传感器来测量所述厚度。
7.如权利要求6的方法,其中所述调整所述流量的步骤包含以下步骤:使这些沟槽的所述确定深度与查找表中的预定浆液流量相关联,所述查找表储存于计算机可读取媒体上。
8.一种方法,包含以下步骤:
(a)测量抛光垫的厚度,所述抛光垫具有沟槽,这些沟槽配置在所述抛光垫的抛光表面中;
(b)比较所述抛光垫的所测量的厚度与所述抛光垫的初始抛光前厚度,以计算抛光垫厚度减少量;
(c)计算配置在所述抛光表面中的这些沟槽的深度;
(d)响应于配置在所述抛光表面中的这些沟槽的所述确定深度,调整引入所述抛光表面的抛光浆液的流量;
(e)抛光预定数量的基板,所述抛光的步骤包含以下步骤:使所述预定数量的基板中的每一个基板接触所述抛光垫,且针对所述预定数量的基板中的每一个基板而以所调整的流量引入所述抛光浆液至所述抛光垫;以及
(f)重复步骤(a)-(e)。
9.如权利要求8的方法,其中所述调整抛光浆液的流量的步骤包含以下步骤:当配置在所述抛光表面中的这些沟槽的所述深度减少时,降低所述抛光浆液的所述流量,从而维持基本恒定的抛光移除率。
10.如权利要求9的方法,其中调整流量的步骤包含以下步骤:使这些沟槽的所述确定深度与查找表中的浆液流量相关联,所述查找表储存于计算机可读取媒体中。
11.如权利要求10的方法,其中所述测量抛光垫的厚度的步骤包含以下步骤:使用感应式传感器来测量所述厚度。
12.一种方法,包含以下步骤:
(a)测量抛光垫的厚度,所述抛光垫具有沟槽,这些沟槽配置于所述抛光垫的抛光表面中;
(b)比较所述抛光垫的所测量的厚度与所述抛光垫的初始抛光前厚度,以确定抛光垫厚度减少量;
(c)计算配置于所述抛光表面中的这些沟槽的深度;
(d)比较这些沟槽的所述计算深度与储存在查找表中的数值;
(d)以预定流量对所述抛光垫引入浆液;所述预定流量依这些沟槽的所述计算深度而定;
(e)抛光预定数量的基板;以及
(f)重复步骤(a)至(e)。
13.如权利要求12的方法,进一步包含以下步骤:当这些沟槽具有约5密尔或小于5密尔的深度时,更换所述抛光垫。
14.如权利要求13的方法,其中所述对所述抛光垫引入浆液的步骤包含以下步骤:当配置在所述抛光表面中的这些沟槽的所述深度减少时,降低所述抛光浆液的所述流量,从而维持基本恒定的抛光移除率。
15.如权利要求14的方法,其中所述测量所述抛光垫厚度的步骤包含以下步骤:使用感应式传感器来测量所述厚度,并且其中所述计算配置在所述抛光表面中的这些沟槽的深度的步骤进一步包含以下步骤:确定配置在所述抛光表面中的这些沟槽的容积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造