[发明专利]半导体器件的制造方法、基板处理装置以及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其通过进行以下工序来形成规定的膜，该工序包括如下步骤：

向收容基板的处理室供给包含第一元素的第一原料，使上述第一原料吸附在上述基板的表面上的步骤；

在使上述第一原料吸附之后，向上述处理室供给包含第二元素的第二原料，使上述第二原料吸附在上述基板的表面上的步骤；

向上述处理室供给包含第三元素的第三原料，来对上述基板的表面进行改性的步骤；以及

去除上述处理室内的环境气体的步骤，

在该半导体器件的制造方法中，

相对于吸附在上述基板的表面上的上述第一原料的饱和吸附量，调整上述第一原料的吸附量和上述第二原料的吸附量，由此控制上述膜中的第二元素的含有量。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

形成在上述基板上的膜是高介电常数膜。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

上述第一元素是含铪和锆的金属元素，上述第二元素是硅或铝，上述第三元素是氧。

4.一种半导体器件的制造方法，其通过按顺序反复进行多次以下步骤来形成规定的膜：

第一步骤，向收容基板的处理室供给包含第一元素的第一原料，使上述第一原料吸附在上述基板的表面上；

第二步骤，去除上述处理室内的环境气体；

第三步骤，向上述处理室供给包含第二元素的第二原料，使上述第二原料吸附在上述基板的表面上；

第四步骤，去除上述处理室内的环境气体；

第五步骤，向上述处理室供给包含第三元素的第三原料，对上述基板的表面进行改性；以及

第六步骤，去除上述处理室内的环境气体，

在该半导体器件的制造方法中，

相对于吸附在上述基板的表面上的上述第一原料的饱和吸附量，调整上述第一原料的吸附量和上述第二原料的吸附量，由此控制上述膜中的第二元素的含有量。

5.一种基板处理装置，其具有：

处理室，其收容基板；

第一气体供给系统，其向上述基板供给包含第一元素的第一气体；

第二气体供给系统，其向上述基板供给包含第二元素的第二气体；

第三气体供给系统，其向上述基板供给包含第三元素的第三气体；以及

控制部，其控制上述第一气体供给系统、上述第二气体供给系统及上述第三气体供给系统，以使得在向上述基板供给上述第一气体而至少使上述第一元素吸附在上述基板的表面上之后，向上述基板供给上述第二气体而至少使上述第二元素吸附在上述基板的表面上，再向上述基板供给上述第三气体而使吸附在上述基板的表面上的上述第一元素和上述第二元素发生反应，从而在上述基板的表面形成规定的膜，

其中，上述控制部相对于吸附在上述基板的表面上的上述第一元素的饱和吸附量，调整上述第一气体的吸附量和上述第二元素的吸附量，由此控制上述膜中的第二元素的含有量。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

还具有排气系统，该排气系统对上述处理室进行排气，

上述控制部控制上述排气系统，以使得在向上述基板供给上述第一气体之后且向上述基板供给上述第三气体之前的定时、以及向上述基板供给上述第二气体之后且向上述基板供给上述第三气体之前的定时中的至少一个定时，对上述处理室进行排气。

7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

上述处理室将多个基板进行层叠而收容。

8.一种半导体器件，其利用权利要求5所述的上述基板处理装置制造而成。