[发明专利]器件的制造方法及有机EL器件有效

专利信息
申请号: 201180007470.5 申请日: 2011-12-15
公开(公告)号: CN103262653B 公开(公告)日: 2017-06-16
发明(设计)人: 西山诚司 申请(专利权)人: 株式会社日本有机雷特显示器
主分类号: H05B33/10 分类号: H05B33/10;H01L51/50;H05B33/22
代理公司: 北京市中咨律师事务所11247 代理人: 段承恩,杨光军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 器件 制造 方法 有机 el
【权利要求书】:

1.一种器件的制造方法,具有:

基板准备工序,准备基板;

像素电极形成工序,在所述基板上以彼此隔开间隔的状态形成多个像素电极,并且,在至少一部分的相邻像素电极之间形成电布线;

感光性膜形成工序,在所述基板上涂敷感光性材料来形成感光性膜;

第一部分曝光工序,在执行了所述感光性膜形成工序后,使第一光掩模与所述基板相对配置,经由所述第一光掩模对所述感光性膜的第一部分进行曝光;

第二部分曝光工序,在执行了所述第一部分曝光工序后或者在执行所述第一部分曝光工序的同时,使第二光掩模与所述基板相对配置,经由所述第二光掩模对所述感光性膜的第二部分进行曝光,所述第二部分的一部分不同于所述第一部分;和

显影工序,对通过执行所述第一部分曝光工序和所述第二部分曝光工序而曝光了所述第一部分和所述第二部分的所述感光性膜进行显影;

在所述第二部分曝光工序中,将所述第二光掩模配置成其端部与所述第一部分曝光工序中的所述第一光掩模的端部重叠;

在所述像素电极形成工序、第一部分曝光工序和所述第二部分曝光工序中,使所述第一光掩模和所述第二光掩模的所述重叠的部分处于与所述像素电极形成工序中的所述电布线对应的位置,

所述第一光掩模与所述第二光掩模,在各个光掩模的端部彼此重叠,

所述第一光掩模与所述第二光掩模重叠的部分是各个光掩模的遮光区域。

2.如权利要求1所述的器件的制造方法,在所述像素电极形成工序中,将所述电布线形成为相对于基板主面呈线状、且宽度大于所述重叠的部分的宽度。

3.如权利要求1所述的器件的制造方法,在所述像素电极形成工序的执行后,执行所述感光性膜形成工序。

4.如权利要求1所述的器件的制造方法,在执行了从所述感光性膜形成工序到所述显影工序之后,执行所述像素电极形成工序。

5.一种器件的制造方法,具有:

基板准备工序,准备基板;

像素电极形成工序,在所述基板上以彼此隔开间隔的状态形成多个像素电极;

感光性膜形成工序,在所述基板上涂敷感光性材料来形成感光性膜;

第一部分曝光工序,在所述感光性膜形成工序的执行后,使第一光掩模与所述基板相对配置,经由所述第一光掩模对所述感光性膜的第一部分进行曝光;

第二部分曝光工序,在所述第一部分曝光工序的执行后或者在所述第一部分曝光工序的执行同时,使第二光掩模与所述基板相对配置,经由所述第二光掩模对所述感光性膜的第二部分进行曝光,所述第二部分的一部分不同于所述第一部分;和

显影工序,对通过执行所述第一部分曝光工序和所述第二部分曝光工序而曝光了的所述感光性膜进行显影;

在所述像素电极形成工序中,在将所述多个像素电极的形成区域分为第一像素电极形成区域和第二像素电极形成区域来考虑时,以使所述第二像素电极形成区域中的相邻像素电极之间的间隔比所述第一像素电极形成区域中的相邻像素电极之间的间隔大的方式,形成所述多个像素电极;

在所述第二部分曝光工序中,将所述第二光掩模配置成其端部与所述第一部分曝光工序中的所述第一光掩模的端部重叠;

在所述像素电极形成工序、第一部分曝光工序和所述第二部分曝光工序中,使所述第一光掩模和所述第二光掩模重叠的部分处于与所述像素电极形成工序中的第二像素电极形成区域对应的位置,

所述第一光掩模与所述第二光掩模,在各个光掩模的端部彼此重叠,

所述第一光掩模与所述第二光掩模重叠的部分是各个光掩模的遮光区域。

6.如权利要求5所述的器件的制造方法,在所述像素电极形成工序中,在所述第二像素电极形成区域,将金属膜相对于基板主面形成为线状;

在所述像素电极形成工序、第一部分曝光工序和所述第二部分曝光工序中,使所述第一光掩模和所述第二光掩模重叠的部分处于与所述像素电极形成工序中的所述金属膜对应的位置。

7.如权利要求5所述的器件的制造方法,在所述像素电极形成工序的执行后,执行所述感光性膜形成工序。

8.如权利要求5所述的器件的制造方法,在执行了从所述感光性膜形成工序到所述显影工序之后,执行所述像素电极形成工序。

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