[发明专利]集成式磁力计及其制造方法

权利要求书

1.一种集成式磁力计，包括多个沉积在基本平坦的衬底（2）的顶面上的多层磁电阻传感器（R₁、R₂、R₃和R₄），其特征在于：

-所述衬底的所述顶面具有至少一个腔或凸起（P，CP），所述腔或凸起具有多个斜面；并且

-至少四个所述磁电阻传感器沉积在四个所述斜面上，所述斜面具有不同的取向，且所述斜面成对相对，各传感器对平行于所述传感器沉积的面的外部磁场分量灵敏。

2.如权利要求1所述的集成式磁力计，其中，所述衬底为单晶体类型，特别是硅类型，所述斜面对应于所述衬底的晶体平面。

3.如上述任一项权利要求所述的集成式磁力计，其中，所述腔或所述凸起具有棱锥或截棱锥的形状，且具有正方形或矩形的基部。

4.如权利要求3所述的磁力计，其中，所述传感器的灵敏度轴（A_R1、A_R2、A_R3和A_R4）指向或偏离所述棱锥的尖端。

5.如上述任一项权利要求所述的集成式磁力计，其中，各所述传感器由两个相同的单独传感器构成，并且其中，沉积在具有相对取向的面上的所述单独传感器在惠斯通电桥电路中连接。

6.如上述任一项权利要求所述的磁力计，其中，其中所述传感器是相同的。

7.如权利要求1至5中的任一项所述的磁力计，其中，除了安装在两个相对的面上的传感器具有符号相反的敏感度外，所述传感器是相同的。

8.如权利要求1至6中的任一项所述的磁力计，其中，各所述传感器由四个相同的连接在惠斯通电桥中的单独传感器构成，磁屏蔽件（BM）沉积在多个所述单独传感器中的两个传感器的上方，所述两个传感器在所述惠斯通电桥中占据相对位置。

9.如权利要求1至6中的任一项所述的磁力计，其中，各所述传感器由两个单独传感器（R和R’）构成，所述两个单独传感器除了具有符号相反的灵敏度之外是相同的。

10.如上述任一项权利要求所述的磁力计，其中，所述多层磁电阻传感器选自：

-巨磁电阻传感器；和

-隧道磁电阻传感器。

11.如上述任一项权利要求所述的磁力计，其中，至少一个微机电类型的加速计（AM）集成在所述衬底上。

12.如上述任一项权利要求所述的磁力计，其中，所述磁力计专有地包括设置在所述斜面上的磁电阻传感器。

13.如上述任一项权利要求所述的磁力计，其中，所述磁电阻传感器设置在半径小于1毫米或等于1毫米的范围内，并且，优选地，设置在半径小于或等于100微米的范围内。

14.一种用于制造如上述任一项权利要求所述的磁力计的方法，所述方法包括：

-第一步：在所述衬底的所述顶面中或所述顶面上制造所述腔或所述凸起；

-第二步：通过连续沉积和光刻操作制造所述多层磁电阻传感器；

-第三步：利用施加的外部磁场退火，以确定以这个方式制造的传感器的灵敏度轴。

15.如权利要求14所述的制造方法，其中，所述第一步通过对所述衬底的各向异性刻蚀而实现，该衬底为单晶体类型。

16.如权利要求14或15所述的制造方法，其中，所述第二步包括至少一个将均匀的树脂层（RL’）沉积在所述衬底的表面上的操作，所述沉积操作通过喷涂或蒸发所述树脂而实现。