[发明专利]用于GaN装置的基于导电性的选择性蚀刻和其应用

权利要求书

1.一种用于生成多孔GaN的方法，其包含：

(a)将GaN暴露于电解质；

(b)将所述GaN耦合到电源的一个端子并将浸于所述电解质中的电极耦合到所述电源的另一个端子以由此形成电路；以及

(c)激励所述电路以增加所述GaN的至少一部分的孔隙率。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含施加介于5V与60V范围内的电压，其中所述GaN耦合到所述电源的正端子。

3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含将所述GaN置放在包含蓝宝石、硅、碳化硅或体GaN的衬底上。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在10¹⁷cm^-3到10¹⁹cm^-3的范围内掺杂所述GaN的至少一部分，以及提供KOH或HCl作为所述电解质。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在10¹⁷cm^-3到10¹⁹cm^-3的范围内掺杂所述GaN的至少一部分，以及提供草酸作为所述电解质。

6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包含施加介于5V与60V范围内的电压，其中所述经掺杂GaN耦合到所述电源的所述正端子。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述激励进一步包含控制所施加电压或电流以调整所述GaN孔隙率。

8.根据权利要求5所述的方法，其进一步包含在所述激励之前在所述GaN中形成掺杂轮廓以生成相应的孔隙率轮廓。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述激励进一步包含随时间在介于0V与60V之间的范围内的低值与高值之间控制所施加电压以生成所述孔隙率轮廓。

10.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含：

(a)提供草酸作为所述电解质；

(b)将所述GaN耦合到所述电源的所述正端子；以及

(c)施加在介于0V与60V之间的范围内的电压。

11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包含随时间在介于0V与60V之间的范围内的低值与高值之间切换所述电压以生成孔隙率轮廓。

12.根据权利要求10所述的方法，其进一步包含在所述GaN中生成n型多层掺杂轮廓，其中所述激励生成具有四分之一波长分布式布拉格反射器DBR的折射率周期性的孔隙率轮廓。

13.根据权利要求11所述的方法，其进一步包含在所述GaN中生成均匀n型掺杂，其中所述激励使得所述孔隙率轮廓具有四分之一波长分布式布拉格反射器DBR的折射率周期性。

14.根据权利要求12所述的方法，其进一步包含将未掺杂或均匀掺杂的GaN结构置放于两个所述DBR之间以形成法布里-珀珞滤光片。

15.根据权利要求13所述的方法，其进一步包含将未掺杂或均匀掺杂的GaN结构置放于两个所述DBR之间以形成法布里-珀珞滤光片。

16.根据权利要求11所述的方法，其进一步包含掺杂以在所述GaN中形成经掺杂表面层，其中所述激励将所述经掺杂表面层转换成NP表面层以增强光提取。

17.根据权利要求11所述的方法，其进一步包含：

(a)在所述GaN中形成掺杂轮廓；以及

(b)蚀刻所述层以形成NP模板。

18.根据权利要求17所述的方法，其进一步包含在所述模板上置放以下各项：

(a)n型GaN，

(b)p型GaN，以及

(c)位于(a)和(b)之间的InGaN/GaN有源层，以形成发光二极管LED。

19.根据权利要求8所述的方法，其进一步包含：

(a)在所述GaN材料中形成掺杂轮廓；以及

(b)蚀刻所述GaN材料以形成第一低孔隙率连续结晶层和在所述第一层下面的第二高孔隙率层，其中在机械上弱化所述第二层，以促进所述第一低孔隙率连续结晶层与所述衬底的分离。