[发明专利]用以促进接合的重调节半导体表面的方法

权利要求书

1.一种对具有微结构缺陷的半导体装置的表面进行重调节的方法，包括:

a)识别表面中的微结构缺陷；以及

b)使用非磨蚀方法以从该表面去除材料至低于该微结构缺陷的最大深度的深度。

2.如权利要求1所述的方法，其中该步骤b)包括以下的子步骤:

b1)在低于该微结构缺陷的该深度的表面上生长氧化物层；以及

b2)去除该氧化物层以显露出实质不具有微结构缺陷的表面。

3.如权利要求2所述的方法，其中该氧化物层在约800°C与1200°C之间的温度生长。

4.如权利要求2所述的方法，其中该氧化物层在低于800°C的温度生长。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包括使用非磨蚀方法以从该表面去除材料至小于该微结构缺陷的最大深度的深度的中间步骤x)，该中间步骤x)在步骤a)之后且在步骤b)之前。

6.如权利要求5所述的方法，其中该步骤x)的该非磨蚀方法是与步骤b)的该非磨蚀方法不同的方法。

7.如权利要求6所述的方法，其中该步骤x)的该非磨蚀方法是在相对高的温度执行的表面重调节方法，以及该步骤b)的该非磨蚀方法是在相对低的温度执行的表面重调节方法。

8.如权利要求1所述的方法，在步骤a)之后且在步骤b)之前进一步包括清洁该表面的中间步骤y)。

9.如权利要求2所述的方法，其中步骤b1)包括暴露该表面至合适的氧化剂，以在该表面上生长氧化物层。

10.如权利要求9所述的方法，其中该半导体装置由硅制成，且该步骤b1)包括暴露该表面至硝酸。

11.如权利要求2所述的方法，其中步骤b2)包括暴露该表面至合适的氧化物去除剂。

12.如权利要求11所述的方法，其中该半导体装置由硅制成，且该步骤b2)包括暴露该氧化物层至汽化氢氟酸。

13.如权利要求11所述的方法，其中该半导体装置由硅制成，且步骤b2)包括暴露该氧化物层至稀释的缓冲氧化物蚀刻剂，以去除该氧化物层。

14.如权利要求11所述的方法，其中该半导体装置由硅制成，且步骤b2)包括暴露该氧化物层至稀释氢氟酸，以去除该氧化物层。

15.如权利要求9所述的方法，其中步骤b1)包括放置该半导体装置于在该表面上生长氧化物层的湿式/干式热氧化室中。

16.如权利要求15所述的方法，其中该氧化物层生长到达约2微米的深度。

17.如权利要求15所述的方法，其中步骤b2)包括使用湿式氧化物剥离法以去除该氧化物层。

18.如权利要求17所述的方法，其中该湿式氧化物剥离法包括使用稀释氢氟酸作为氧化物去除蚀刻剂。

19.如权利要求2所述的方法，其中该氧化物层由二氧化硅组成。

20.如权利要求2所述的方法，其中该氧化物层是氧化硅单层。