[发明专利]化学机械研磨用水系分散体及利用其的化学机械研磨方法有效
申请号: | 201180007853.2 | 申请日: | 2011-01-17 |
公开(公告)号: | CN102741985A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 竹村彰浩;吉尾浩平;山中达也;金野智久 | 申请(专利权)人: | JSR株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 左嘉勋;顾晋伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 机械 研磨 水系 散体 利用 方法 | ||
1.一种化学机械研磨用水系分散体,含有:
(A)具有选自磺基及其盐中的至少1种官能团的二氧化硅粒子,和
(B)酸性化合物。
2.根据权利要求1所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,所述(B)酸性化合物为有机酸。
3.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,pH为1~6。
4.根据权利要求3所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,化学机械研磨用水系分散体中的所述(A)二氧化硅粒子的电动电位为-20mV以下。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,在采用动态光散射法测定时,所述(A)二氧化硅粒子的平均粒径为15nm~100nm。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的化学机械研磨用水系分散体,其用于研磨构成半导体装置的多块基板之中在化学机械研磨时带有正电荷的基板。
7.根据权利要求6所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,所述带有正电荷的基板为硅氮化膜。
8.一种化学机械研磨方法,其特征在于,利用权利要求1~7中任一项所述的化学机械研磨用水系分散体对构成半导体装置的多块基板之中在化学机械研磨时带有正电荷的基板进行研磨。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造