[发明专利]化学机械研磨用水系分散体及利用其的化学机械研磨方法有效

专利信息
申请号: 201180007853.2 申请日: 2011-01-17
公开(公告)号: CN102741985A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 竹村彰浩;吉尾浩平;山中达也;金野智久 申请(专利权)人: JSR株式会社
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 左嘉勋;顾晋伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 化学 机械 研磨 水系 散体 利用 方法
【权利要求书】:

1.一种化学机械研磨用水系分散体,含有:

(A)具有选自磺基及其盐中的至少1种官能团的二氧化硅粒子,和

(B)酸性化合物。

2.根据权利要求1所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,所述(B)酸性化合物为有机酸。

3.根据权利要求1或2所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,pH为1~6。

4.根据权利要求3所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,化学机械研磨用水系分散体中的所述(A)二氧化硅粒子的电动电位为-20mV以下。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,在采用动态光散射法测定时,所述(A)二氧化硅粒子的平均粒径为15nm~100nm。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的化学机械研磨用水系分散体,其用于研磨构成半导体装置的多块基板之中在化学机械研磨时带有正电荷的基板。

7.根据权利要求6所述的化学机械研磨用水系分散体,其中,所述带有正电荷的基板为硅氮化膜。

8.一种化学机械研磨方法,其特征在于,利用权利要求1~7中任一项所述的化学机械研磨用水系分散体对构成半导体装置的多块基板之中在化学机械研磨时带有正电荷的基板进行研磨。

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