[发明专利]背面电极型太阳能电池的制造方法、背面电极型太阳能电池及背面电极型太阳能电池模块无效
申请号: | 201180007919.8 | 申请日: | 2011-01-27 |
公开(公告)号: | CN102742025A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 横泽雄二;舩越康志;冈本谕;仓桥孝尚 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 岳雪兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背面 电极 太阳能电池 制造 方法 模块 | ||
1.一种背面电极型太阳能电池(1,16)的制造方法,其特征在于,包括:
在硅基板(4)的受光面涂布包括含有与所述硅基板(4)具有相同导电型的杂质的化合物、钛醇、以及乙醇的溶液后进行热处理,由此形成受光面扩散层(6)和防止反射膜(7,12)的工序;
通过热处理,在所述硅基板(4)的所述受光面上形成受光面钝化膜(8)的工序;
在所述硅基板(4)的与所述受光面相反一侧的背面形成n型用电极(2)和p型用电极(3)的工序。
2.如权利要求1所述的背面电极型太阳能电池(1,16)的制造方法,其特征在于,所述受光面钝化膜(8)为氧化硅膜。
3.如权利要求1或2所述的背面电极型太阳能电池(1,16)的制造方法,其特征在于,形成所述受光面钝化膜(8)的工序包括在所述硅基板(4)的背面形成背面钝化膜(9,15)的工序。
4.如权利要求1至3中任一项所述的背面电极型太阳能电池(1,16)的制造方法,其特征在于,所述受光面扩散层(6)的片电阻为30Ω/□以上、100Ω/□以下。
5.如权利要求1至4中任一项所述的背面电极型太阳能电池(1,16)的制造方法,其特征在于,所述受光面钝化膜(8)的厚度为30nm以上、200nm以下。
6.一种背面电极型太阳能电池(1,16),其特征在于,具有:设置于硅基板(4)的受光面的受光面扩散层(6);
设置于所述受光面扩散层(6)上的受光面钝化膜(8);
设置于所述受光面钝化膜(8)上的防止反射膜(7,12);
设置于所述硅基板(4)的与所述受光面相反一侧的背面的n型用电极(2)和p型用电极(3);
所述受光面扩散层(6)为与所述硅基板(4)相同的导电型,杂质浓度高于所述硅基板(4);
所述防止反射膜(7,12)为含有与所述硅基板(4)具有相同导电型的杂质的二氧化钛膜。
7.一种背面电极型太阳能电池(1,16),其特征在于,具有:设置于硅基板(4)的受光面的受光面扩散层(6);
设置于所述受光面扩散层(6)上的受光面钝化膜(8);
设置于所述受光面钝化膜(8)上的一部分的防止反射膜(7,12);
设置于所述硅基板(4)的与所述受光面相反一侧的背面的n型用电极(2)和p型用电极(3);
所述受光面扩散层(6)为与所述硅基板(4)相同的导电型,杂质浓度高于所述硅基板(4);
所述防止反射膜(7,12)为含有与所述硅基板(4)具有相同导电型的杂质的二氧化钛膜。
8.如权利要求6或7所述的背面电极型太阳能电池(1,16),其特征在于,所述防止反射膜(7,12)所含有的杂质为n型杂质;
所述n型杂质为氧化磷,含有量为所述防止反射膜(7,12)的15质量%以上、35质量%以下。
9.一种背面电极型太阳能电池模块(35),是配置有多个权利要求6至8中任一项所述的背面电极型太阳能电池(1,16)而形成的背面电极型太阳能电池模块(35);
该背面电极型太阳能电池模块(35)的特征在于,在所述背面电极型太阳能电池(1,16)的所述受光面侧依次包括密封树脂(32)及透明基板(33)。
10.如权利要求9所述的背面电极型太阳能电池模块(35),其特征在于,所述密封树脂(32)含有从乙烯醋酸乙烯酯、硅树脂及聚烯烃树脂中所选择的至少一种树脂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的