[发明专利]绝缘金属基板和半导体器件

权利要求书

1.一种绝缘金属基板，所述绝缘金属基板包括：

金属基体，所述金属基体由钢、铁基合金钢或钛制成；

铝层，所述铝层安置在所述金属基体的至少一个表面上；

绝缘层，所述绝缘层通过将所述铝层的前表面阳极氧化而形成；和

合金层，所述合金层主要由组成用Al₃X(其中X是选自Fe、Cr和Ti的至少一种元素)表示的合金制成，并且存在于所述金属基体和所述铝层之间的界面中，

其中所述合金层具有0.01至10微米的厚度，并且

其中所述铝层的厚度为1微米以上并且等于或小于所述金属基体的厚度。

2.根据权利要求1所述的绝缘金属基板，其中所述绝缘层是具有多孔结构的铝的阳极氧化膜。

3.根据权利要求1或2所述的绝缘金属基板，所述铝层通过下列方式安置在所述金属基体的所述至少一个表面上：将铝片材压力结合在所述金属基体的所述至少一个表面上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的绝缘金属基板，其中所述金属基体具有10至1000微米的厚度。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的绝缘金属基板，其中所述绝缘层具有0.5至50微米的厚度。

6.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

根据权利要求1至4中任一项所述的绝缘金属基板；和

半导体元件，所述半导体元件以阵列方式布置在所述绝缘金属基板的前表面上。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述半导体元件是串联连接的光电转换元件。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述光电转换元件中的每一个都具有光吸收层，所述光吸收层包含具有黄铜矿型晶体结构的化合物半导体。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述光电转换元件中的每一个都具有由钼制成的底部电极，并且所述化合物半导体包含由第11族元素、第13族元素和第16族元素制成的至少一种化合物半导体。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第11族元素包括铜和/或银，所述第13族元素包括选自由铝、镓和铟组成的组中的至少一种元素，并且所述第16族元素包括选自由硫、硒和碲组成的组中至少一种元素。