[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201180007989.3 | 申请日: | 2011-01-20 |
公开(公告)号: | CN102782843A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 中村崇浩;国保春卫;山田崇广;木村好壹 | 申请(专利权)人: | 本田技研工业株式会社 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/12;H01L25/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其在框体内上下设置了设有功率开关元件的绝缘基板和设有控制所述功率开关元件的IC的控制基板,该半导体装置的特征在于,
在所述IC两侧设置有GND管脚,并且在所述控制基板上设置有连接所述IC的GND管脚的GND图案,
所述半导体装置具有断绝部,该断绝部断开所述IC、所述IC两侧的GND管脚及所述GND图案电连接而形成的GND环。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
由在所述GND图案的被所述IC覆盖的区域中以横向截断所述IC两侧设置的GND管脚之间的方式设置的GND环断绝缝隙构成所述断绝部。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
在所述IC两侧,分别在规定长度的范围内配置夹着所述IC对置的多个所述GND管脚,所述GND环断绝缝隙的缝隙长度与设置有所述GND管脚的规定长度相等。
4.根据权利要求2或3所述的半导体装置,其特征在于,
所述控制基板由利用通孔连接层间的电路的多层基板构成,所述通孔设置在所述GND环断绝缝隙的边缘部。
5.根据权利要求2至4的任一项所述的半导体装置,其特征在于,
在所述控制基板上设置有电源图案和连接该电源图案及所述GND图案的旁路电容器,
按照使所述IC两侧的GND管脚以所述旁路电容器为起点星形布线的方式设置所述GND环断绝缝隙。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
避开连接所述IC的一侧设置的GND管脚的位置来形成所述GND图案,从而构成所述断绝部。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
在所述IC的内部设置断绝所述IC两侧的GND管脚的电连接的开放部,从而构成所述断绝部。
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