[发明专利]硅晶片和半导体装置无效
| 申请号： | 201180008182.1 | 申请日： | 2011-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN102741977A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;寺本章伸;诹访智之 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B29/06;C30B33/02;H01L21/324;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅晶片，其特征在于，其为表面由单原子层的台阶形成有呈阶梯状的多个平台的硅晶片，且在所述晶片中不存在滑移线。
2.根据权利要求1所述的硅晶片，其特征在于，口径为200mm Φ以上。
3.根据权利要求1或2所述的硅晶片，其特征在于，在900℃以下的温度、惰性气体氛围下进行了热处理。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的硅晶片，其特征在于，表面的面方位为(100)晶面。
5.一种半导体装置，其特征在于，通过使用权利要求1～4中任一项所述的硅晶片而形成。
6.一种半导体装置，其被形成在具有单原子层的台阶和平台、且不存在滑移线的硅基板上。
7.根据权利要求5或6的半导体装置，其在900℃以下的温度、惰性气体氛围下制成，并通过自由基氧化和/或自由基氮化形成栅绝缘膜。
8.一种硅晶片平坦化方法，其在900℃以下的温度、惰性气体氛围下以原子水平对硅晶片进行平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
