[发明专利]使用含镓和氮材料的光学器件反射模式封装

权利要求书

1.一种光学器件，包括：

具有表面区域的安装构件；

在一部分所述表面区域上的至少一个LED器件；

波长转换材料，置于所述表面区域的至少一部分之上；

波长选择性表面，构造成基本反射所述LED器件的直接发射并透射通过所述波长转换材料和所述LED器件的直接发射的相互作用产生的所选择波长的转换的发射；

其中所述LED器件的至少30%的所述直接发射在与所述波长转换材料发生相互作用之前从所述波长选择性表面被反射。

2.根据权利要求1所述的光学器件，其中所述波长材料具有小于100μm的厚度。

3.根据权利要求1所述的光学器件，其中所述表面区域在一个或多个所述发射波长下具有大于50%的反射率。

4.根据权利要求1所述的光学器件，其中所述波长转换材料包含波长转换粒子，所述波长转换粒子的特征为平均粒子-粒子间距约小于10倍的所有波长转换材料的平均粒径。

5.根据权利要求1所述的光学器件，其中所述波长选择性表面包含滤光片。

6.根据权利要求1所述的光学器件，其中所述波长选择性表面包含二色性光学构件。

7.根据权利要求1所述的光学器件，其中所述波长转换材料包含以像素化图案布置的第一波长转换材料和第二波长转换材料。

8.根据权利要求1所述的器件，其中所述波长转换材料包含堆叠于第二波长转换材料顶部上的第一波长转换材料。

9.根据权利要求1所述的器件，其中所述波长转换材料包含与第二波长转换材料混合的第一波长转换材料。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述波长转换材料包含第一波长转换材料和第二波长转换材料。

11.根据权利要求1所述的光学器件，其中所述波长转换材料包含多个量子点、磷光体材料和有机材料之一。

12.根据权利要求1所述的光学器件，其中所述至少一个LED器件制作于含镓和氮的基底上。

13.根据权利要求12所述的光学器件，其中所述含镓和氮的基底的特征为半极性或非极性取向。

14.一种光学器件，包括：

包含表面区域的安装构件；

置于一部分所述表面区域之上的至少一个LED器件，所述LED器件具有顶部LED表面区域；

波长转换材料层，置于一部分所述表面区域之上；

波长选择性表面，构造成基本反射所述LED器件的直接发射并构造成透射通过所述LED器件的直接发射与至少所述波长转换材料层相互作用产生的所选择波长的转换发射；

通过所述LED表面区域形成的第一体积和连接所述LED表面区域和所述波长选择性表面的第一高度；

通过所述波长转换材料层的区域形成的第二体积和连接所述波长转换材料层和波长选择性表面的第二高度，所述第二体积大于所述第一体积，所述第二区域是基本透明的且基本上无波长转换材料。

15.根据权利要求14所述的光学器件，其中：

所述LED器件具有表面区域并表征为从参考区域开始的第一高度；

所述波长转换材料具有从所述参考区域开始的第二高度的上表面；且

所述第二高度小于所述第一高度。

16.根据权利要求14所述的光学器件，其中所述波长转换材料包含波长转换粒子，所述波长转换粒子的特征为平均粒子-粒子间距约小于10倍的所有波长转换材料的平均粒径。

17.根据权利要求14所述的光学器件，其中所述波长选择性表面包含滤光片。

18.根据权利要求14所述的光学器件，其中所述波长转换材料包含多个量子点、磷光体材料或有机材料。

19.根据权利要求14所述的光学器件，其中所述至少一个LED器件制作在含镓和氮的基底上。

20.根据权利要求19所述的光学器件，其中所述含镓和氮的基底的特征为半极性或非极性取向。