[发明专利]用于制造氮化镓晶片的方法

权利要求书

1.一种用于制造氮化镓(GaN)晶片的方法，所述方法包括：

在衬底上形成蚀刻阻挡层；

在所述蚀刻阻挡层上形成第一GaN层；

使用硅烷气体蚀刻所述第一GaN层的一部分；

在所述蚀刻的第一GaN层上形成第二GaN层；以及

在所述第二GaN层上形成第三GaN层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻阻挡层包括非晶质层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述蚀刻阻挡层包括低温(LT)氮化铝(AlN)或氮化硅(SiN)中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在使用所述硅烷气体蚀刻所述第一GaN层的一部分中，通过所述硅烷蚀刻暴露所述蚀刻阻挡层的一部分，且在所述使用所述硅烷气体蚀刻所述第一GaN层的一部分中在没有蚀刻掩膜的情况下进行蚀刻工艺。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在使用所述硅烷气体蚀刻所述第一GaN层的一部分中，在所述蚀刻的第一GaN层中形成沟槽。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述蚀刻的第一GaN层上形成所述第二GaN层中，形成所述第二GaN层以包括空隙。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在使用所述硅烷气体蚀刻所述第一GaN层的一部分中，所述硅烷具有化学式Si_nH_2n+2，且氢气(H₂)和氮气(N₂)用作载气。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在使用所述硅烷气体蚀刻所述第一GaN层的一部分中，在使用所述硅烷气体的所述蚀刻工艺的过程中排除氨(NH₃)。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在使用所述硅烷气体蚀刻所述第一GaN层的一部分中，使用氮化硅(Si_xN_y)不规则掩膜进行蚀刻工艺。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一GaN层的形成和使用所述硅烷气体蚀刻所述第一GaN层的一部分是原位进行的。

11.一种用于制造GaN晶片的方法，所述方法包括：

在衬底上形成蚀刻阻挡层；

在所述蚀刻阻挡层上形成第一GaN层；

使用硅烷气体蚀刻所述第一GaN层的一部分以形成具有预定角度的凹部；以及

在所述蚀刻的第一GaN层上形成第二GaN层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在使用所述硅烷气体蚀刻所述第一GaN层的一部分中，在没有蚀刻掩膜的情况下进行蚀刻工艺。

13.根据权利要求11所述的方法，其中在所述蚀刻的第一GaN层中形成金字塔形状的损伤区域。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，在所述蚀刻的第一GaN层上形成所述第二GaN层中，形成所述第二GaN层以包括在所述第一GaN层和所述第二GaN层之间的金字塔形状的轮廓。

15.一种用于制造GaN晶片的方法，所述方法包括：

在衬底上形成第一GaN层；

使用硅烷气体蚀刻所述第一GaN层的一部分；

在所述蚀刻的第一GaN层上形成第二GaN层以包括空隙；以及

在所述第二GaN层上形成第三GaN层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，在使用所述硅烷气体蚀刻所述第一GaN层的一部分中，H₂和N₂用作载气，且在使用所述硅烷气体的蚀刻工艺的过程中排除NH₃。

17.根据权利要求15所述的方法，进一步包括在所述衬底上形成蚀刻阻挡层。

18.一种用于制造GaN晶片的方法，所述方法包括：

在衬底上形成第一GaN层；

使用硅烷气体蚀刻所述第一GaN层的一部分；以及

在所述蚀刻的第一GaN层上形成第二GaN层以包括金字塔形状的轮廓。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，在使用所述硅烷气体蚀刻所述第一GaN层的一部分中，在所述蚀刻的第一GaN层中形成具有预定角度的凹部。

20.根据权利要求19所述的方法，其中在所述蚀刻的第一GaN层中形成金字塔形状的损伤区域。