[发明专利]用于开关电功率的电子部件

权利要求书

1.一种用于开关电功率的电子部件（10），其特征在于，包括

两个彼此间隔开的导体条（60,62），在所述两个导体条（60,62）之间设有半导体开关（14,16,18,22,24,26），通过控制输入（E1,E2）驱动所述半导体开关（14,16,18,22,24,26），从而通过总线条（64）在功率输出（A）处输出电功率；

至少一个导体迹线（58c,58d），具有的电势不同于所述导体条（60,62）的电势；

电容装置，设置在所述两个导体条（60,62）之间；

所述半导体开关（14,16,18,22,24,26）和所述导体条（60,62）和所述总线条（64）与沉积在衬底（58）上的电导体（58a,58b,58c,58d,58e）连接；

所述衬底（58）在它的至少两个边缘区域中具有在每种情况下电势彼此对应的电导体（58a,58b）；

所述半导体开关（14,16,18,22,24,26）和所述导体条（60,62）、所述总线条（64）和/或所述电容装置设置在所述衬底（58）的一侧上，所述衬底（58）在它的另一侧上具有与所述导体条（60,62）电连接的电势导体（58f）。

2.根据权利要求1所述的电子部件（10），其特征在于，所述电容装置设置在所述导体条（60,62）中的一个与所述总线条（64）之间。

3.根据权利要求1到2任一项所述的电子部件（10），其特征在于，所述导体条中的一个设置得与所述导体条中的另一个和/或所述总线条（64）平行。

4.根据权利要求1到3任一项所述的电子部件（10），其特征在于，所述电容装置（52a）至少部分在所述导体条（60,62）之上延伸和/或没有伸出超过，或者在所述导体条（60,62）和所述总线条的上方伸出不超过所述电容装置（52a）的高度的20%到30%。

5.根据权利要求1到4任一项所述的电子部件（10），其特征在于，所述电势传导表面（58f）与冷却装置接触或集成在所述冷却装置中形成。

6.根据权利要求1到5任一项所述的电子部件（10），其特征在于，所述半导体开关（14,16,18,22,24,26）和与所述半导体开关相连的电气或电子组件(36,38,40,44,46,48)彼此连接在一起，从而它们设置在通过所述电势传导表面（58f）限定的平面与通过所述导体条（60,62）的侧边和所述总线条（64）的侧边限定的且远离所述电势传导表面（58f)的平面之间。

7.根据权利要求1到6任一项所述的电子部件（10），其特征在于，由场效应晶体管（FET）或由具有绝缘栅极端的双极晶体管（IGBT）形成所述半导体开关（14,16,18,22,24,26）；其中，采用具有与晶体管并联连接的集成自由轮二极管或其它外接自由轮二极管的MOSFET。

8.根据权利要求1到7任一项所述的电子部件（10），其特征在于，所述半导体开关（14,16,18,22,24,26）具有带贵金属涂层的大面积接触点。

9.根据权利要求1到8任一项所述的电子部件（10），其特征在于，具有用于耦连半桥的中间电路的部件设置在远离所述电势传导表面（58f）的所述导体条（60,62）的一个或两个的侧边上，所述中间电路具有其它的电容。

10.根据权利要求1到9任一项所述的电子部件（10），其特征在于，所述电容装置具有薄膜电容（52a,52b,52c）。

11.根据权利要求1到10任一项所述的电子部件（10），其特征在于，设有虚拟横截面，与半导体开关对（14,22;16,24;18,26）的两个半导体开关（14,16,18,22,24,26）同时相交，第一虚拟横截区域小于第二虚拟横截区域的大约一半；

所述第一虚拟横截区域由电势不同于所述电势传导表面（58f）的电势的所述传导表面（58c,58d,58e,58g,58h）以及所述电势传导表面（58f)来划界；以及

所述第二虚拟横截区域由所述电势传导表面（58f）以及通过位于所述衬底上的所述导体条的侧边来限定的平面来划界。